HemNyheterHalvledare

Halvledare

DRAM-produktion ökar långsamt

Sydkoreanska minnestillverkare uppges ha kapacitet över för DDR-minne trots ökad HBM-produktion.

Japanska forskare hoppas på EUV-ljus från partikelaccelerator

Forskare hos KEK hoppas på rikliga mängder EUV-ljus till låg kostnad med hjälp av partikelacceleratorer.

USA överväger ytterligare GAAFET-sanktioner mot Kina

Efter förbud att exportera utvecklingsverktyg för transistortypen kan direkta förbud mot produkter med GAAFET vara på tapeten.

Intel inleder produktion med High-NA EUV under 2024

ASML:s utrustning levereras under året till Intel och TSMC – med vitt skilda syften.

ASML slår rekord i strukturdensitet – vill göra EUV billigare

Samtidigt som ASML skryter om rekordsmå strukturer talar de om kostnaderna för EUV och framtida Hyper-NA.

Nvidia ratar Samsungs HBM-minne

Hög strömförbrukning och värmeutveckling gör att Samsung inte når upp till Nvidias högt ställda krav.

Samsung mot kommersialisering av 3D DRAM år 2030

Vertikala transistorer banar väg för DRAM med 16 lager till år 2030.

Samsung siktar på jättekliv till NAND på över 400 lager

I jakten på ledartröjan väntas minnesjätten sikta på att gå från 290 till minst 430 så snart som år 2025.
- Advertisment -

Kategorier

Mest lästa