Kinesiska CXMT inleder produktion av HBM3E

Inledningsvis dyra kretsar tillskrivs låg yield, vilket sannolikt spelar föga roll när nationell stolthet står på spel.

Den kinesiska DRAM-tillverkaren CXMT väntas inleda produktion av typen HBM3E inom kort, trots att bolagets yield i dagsläget rapporteras vara runt 20–30 procent. Det innebär att Kina närmar sig Sydkorea och USA inom DRAM, den sista kvarvarande delen av halvledarmarknaden där landet saknar kapacitet som är jämförbar med marknadsledarna.

Enligt Reuters har CXMT levererat två versioner av förproduktionsexemplar till ett flertal inhemska AI-kretsdesigners och till följd av låg yield, andelen fungerande kretsar efter produktion, väntas priset bli betydligt högre än motsvarande lösningar från Samsung, SK Hynix och Micron. Rent prestandamässigt uppges CXMT:s HBM3E-kretsar prestera i linje med SK Hynix ursprungliga HBM3-kretsar snarare än dess senare HBM3E-kretsar.

MinnestypFörsäljningsstart i produkterMax hastighet
per pin
Kanaler x
bits/kanal
Max. kapacitet
(per stack)
Max bandbredd
HBM1Juni 20151,0 Gb/s8×128 bit4×1 GB (4 GB) 128 GB/s
HBM2Juni 20162,4 Gb/s8×128 bit8×1 GB (8 GB)307 GB/s
HBM2EQ4 20203,6 Gb/s8×128 bit12×2 GB (24 GB)461 GB/s
HBM3Oktober 20226,4 Gb/s16×64 bit12×2 GB (24 GB)819 GB/s
HBM3EQ2 20249,8 Gb/s16×64 bit16×3 GB (48 GB)1 229 GB/s
HBM4Augusti 20268,0 Gb/s32×64 bit16×4 GB (64 GB)2 048 GB/s
De olika generationerna HBM-minne och dess nyckelegenskaper. Data: Wikipedia/Semi14

Minnestypen HBM3 lanserades år 2022 och följdes upp av HBM3E under mitten av 2023. Maximal överföringshastighet för HBM3 är 6,4 Gbps (gigabit per sekund) per stift och 9,8 Gbps för HBM3E. Nyhetsbyråns Reuters uppgifter placerar CXMT-kretsarnas prestanda sannolikt någonstans runt det förstnämnda.

Kina har upprepade gånger visat sig vara berett att betala extra på kort sikt för att gynna sin egen halvledarsektor på lång sikt, något som sannolikt kommer ske än en gång när CXMT:s HBM3E-kretsar blir tillgängliga. Det kanske bästa exemplet på objektivt sämre produkter som ändå fått stort genomslag för att stötta kinesisk produktion är Huaweis AI-acceleratorer i Ascend-serien, där staten aktivt uppmuntrat AI-bolag att köpa kinesiskt snarare än produkter från Nvidia.

Sedan tidigare har Semi14 rapporterat om hur Huawei uttryckt att de amerikanska halvledarrelaterade handelsrestriktionerna lett till att den kinesiska halvledarsektorn kraftsamlat och gjort gemensam sak av sina egna ambitioner. Det enskilda område där landet i handelskrigets början låg längst efter var sannolikt inom minnesproduktion – och här har CXMT på senare tid tagit i kapp de stora spelarna för att rentav bli först ut med LPDDR6. Därtill väntas CXMT och Kinas andra stora minnestillverkare YMTC bli först ut att introducera minneskretsar med vertikala transistorer och cellstrukturen 4F².

Specifikations-, prestanda- och yield-mässigt är det sannolikt ingen av de andra tre HBM-producenterna som omedelbart framkallar darrande knäveck. Istället är Semi14:s spaning att det som ger anledning till oro snarare är tempot i vilket Kina tar igen sitt tillverkningstekniska eftersläpning, kombinerat med att CXMT på mindre än ett år fördubblat sin marknadsandel för att under september ha utgjort mer än 10 procent av DRAM-marknaden räknat i omsättning.

KällaReuters
Jonas Klar
Jonas Klar
Ansvarig utgivare och medgrundare av Semi14. Började skruva med elektronik år 2003 och inledde därefter skribentkarriären med att skriva om datorkomponenter år 2005. Har på senare år intresserat sig allt mer för affärerna och forskningen i halvledarbranschen.
Relaterade artiklar
Annons

Nyhetsbrev

Prenumerera på vårt nyhetsbrev – våra nyheter i din inkorg cirka en gång i veckan.

Läs också