Kinesiska Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC) förbereder ett inträde på marknaden för primärminne (DRAM), detta efter att hittills uteslutande verkat inom lagringsminne av NAND-typ – med stor framgång. Analysfirman Counterpoint Research skriver att YMTC utvecklar en LPDDR5X-krets med kapacitet om 16 Gb (2 GB) och hastighet om 9 600 MT/s, men det mest anmärkningsvärda är att denna ska tillverkas med vertikala transistorer och cellstrukturen 4F².
YMTC har på ett drygt decennium etablerat sig som en av världens största spelare på NAND-scenen, där de under 2026 års andra kvartal gick om amerikanska Micron och blev tredje störst räknat i volym, med omkring en 14-procentig marknadsandel. Teknikgapet inom NAND bedöms samtidigt ha krympt till omkring ett år, detta trots amerikanska exportkontroller av tillverkningsutrustning och mjukvara som syftar till att bromsa Kinas avancemang inom halvledare.
Satsningen på DRAM uppges redan vara igång i mindre skala, där YMTC sedan oktober 2025 ska ha utvecklat och testat LPDDR5X-minne med kapacitet om 16 Gb (2 GB) med en hastighet om 7 500 MT/s. Minneskretsen i fråga ska tillverkas i en hygglig kapacitet om 5 000 kiselskivor per månad (WSPM), men är trots detta inte tänkt att nå volymproduktion för marknaden. Istället är målet att gå in i produktion med en LPDDR5X-krets i 9 600 MT/s med Vertical Channel Transistor (VCT) och 4F²-cellstruktur.
Att YMTC går direkt på en cellstruktur 4F² som ännu inte tillverkas av de internationella jättarna SK Hynix och Samsung kan inte beskrivas som annat än anmärkningsvärt – duon väntas introducera tekniken först tidigt 2030-tal. Därtill kommer uppgifterna kort efter Microns besked att de övergivit tekniken, som de själva uppfann, efter 20 års forskning med motivering att den var alltför komplex och kostsam. Även den inhemska konkurrenten ChangXin Memory Technologies (CXMT) är på god mot att kommersialisera minnestekniken i skala, inledningsvis med fokus på servermarknaden.
Skillnaden mellan 6F² som praktiskt taget alla DRAM-kretsar bygger på idag och 4F² är hur själva transistorn är uppbyggd. Med 6F² upptar en minnescell en yta om 2F × 3F, där ”F” står för feature size, medan 4F² vinklar transistorns kanal vertikalt 90 grader för att bygga på höjden och på pappret krympta avtrycket med 33 procent. Detta kan direkt översättas till högre kapacitet på en given kretsyta (mm²). Nämnas bör Microns invändning och varför de övergivit tekniken, där bolaget menade att vinsten inte är fullt så stor då fysikens realiteter innebär att kondensatorn inte kan krympas ytterligare.
Det som talar för att 4F² kan innebära en fördel för CXMT och YMTC är att de förvägras utrustning för tillverkning i spjutspetsen. Om de kinesiska aktörerna inte kan krympa transistorerna lika långt som Micron, Samsung och SK Hynix, samtidigt som kondensatorn sätter samma fysikaliska gräns för samtliga, blir vinsten av att resa transistorn på vertikalen större. Minnescellstrukturen 4F² kan därmed bli ett sätt att kompensera för bristen på litografiutrustning av bland annat EUV-typ.
Intåget på DRAM-marknaden sker samtidigt som Kina, med just CXMT och YMTC i bräschen, bygger ut sin minneskapacitet i massiv skala. YMTC har idag en kapacitet motsvarande omkring 200 000 WSPM och planerar nya anläggningar som på sikt ska lyfta siffran till omkring 500 000 WSPM. Expansionsplanerna för CXMT uppgår till omkring 600 000 WSPM, vilket skulle betyda att de två kinesiska tillverkarna tillsammans når en tillverkningskapacitet motsvarande världens största minnestillverkare Samsung.
En bidragande orsak till YMTC:s framgångar inom NAND är dess Xtacking-teknik, där minnesceller och logik tillverkas på två separata kiselskivor och sammanfogas genom hybrid bonding. Denna teknik uppges YMTC vilja föra över till DRAM, men exakt hur tekniken skulle användas framgår inte. Ett möjligt upplägg är att avsätta en kiselskiva till själva minnesmatrisen, och en andra för I/O och annan logik.
