Tyska Infineon investerar 1,1 miljarder euro i sin fabrik i Villach, Österrike, för att bygga världens första anläggning med volymproduktion av kraftelektronik i galliumnitrid (GaN) på 300 millimeter stora kiselskivor. Knappt en tredjedel av beloppet, 319 miljoner euro, är stöd inom ramen för EU Chips Act. Produktionsstart för tillverkning planeras till 2027, men utbyggnaden väntas fortgå inpå år 2034.
Beskedet att Infineon tar klivet till 300 millimeter för GaN kommer två år efter att bolaget tillkännagav tekniken och en första pilotlina i Villach, något VD:n Jochen Hanebeck vid tillfället beskrev som en ”game changer”. Fördelen med att gå över till 300 millimeter är framförallt ekonomi, då dessa kiselskivor rymmer 2,25 gånger fler kretsar per skiva ställt mot 200 millimeter. Bolaget pekade även på att övergången till 300 millimeter skulle göra det möjligt för GaN att på sikt närma sig kostnadsparitet med traditionellt kisel (Si).
This substantial investment shows our clear commitment to strengthening the European semiconductor ecosystem and Europe’s technological sovereignty. By establishing high-volume manufacturing on 300-millimeter wafers, we will be the first company in the world to bring gallium nitride power electronics into volume production.
– Jochen Hanebeck, VD på Infineon
Valet av utbyggnad i Villach bör i första hand tillskrivas att det redan är en av Infineons viktigaste anläggningar, men även att den redan har volymproduktion om 300 millimeter med traditionellt kisel – vilket innebär att infrastruktur kopplad till storleken redan finns på plats. Jämte GaN och Si tillverkas även kretsar på kiselkarbid (SiC) i Villach, men då på skivor om 200 millimeter.
Traditionellt har SiC varit starkast i applikationer med högre spänningar omkring 650–1 700 volt (V), medan GaN använts mer i häradet 60–700 V. Fallande kostnader gör dock att GaN börjar ta allt större plats i applikationer där SiC traditionellt varit dominerande, bland annat har Semi14 tidigare rapporterat om hur GaN på bekostnad av SiC väntas ta större plats inom fordon – något Infineon pekar ut som tillväxtområde för GaN jämte datacenter, energiinfrastruktur och robotik. De lägre kostnaderna gör att GaN även används för allt mer konsumentelektronik och numera är vanligt förekommande i bland annat telefon- och datorladdare.
