Tyska kraftelektronikspecialisten Infineon har tillkännagivit att bolaget utvecklat en process för att tillverka kraftelektronik på 300 millimeter stora skivor av galliumnitrid (GaN). Hittills har kraftelektroniken på galliumnitrid såväl som kiselkarbid varit begränsad till 200 och 150 millimeter stora skivor, men 300 millimeter stora skivor erbjuder möjligheten att tillverka 2,25 gånger fler kretsar per skiva ställt mot 200 millimeter.
Enligt ett pressmeddelande har bolaget integrerat en pilotlina för 300 millimeter stora skivor av galliumnitrid i sin existerande verksamhet i österrikiska Villach. Sedan tidigare huserar anläggningen i Villach kraftelektroniktillverkning på 300-millimetersskivor av kisel såväl som 200 millimeter stora galliumnitridskivor. De första färdiga skivorna kommer att visas upp under den München-baserade mässan Electronica i november 2024.
The technological breakthrough will be an industry game-changer and enable us to unlock the full potential of gallium nitride. […] As a leader in power systems, Infineon is mastering all three relevant materials: silicon, silicon carbide and gallium nitride.
– Jochen Hanebeck, CEO, Infineon
Infineon blir alltså först med tillverkning med 300-millimeterstillverkning av galliumnitrid, vilket bolaget menar gör det möjligt för materialet att på sikt nå ned till samma kostander som de för tillverkning av kraftelektronik på kisel. Högste hönset Jochen Hanebeck beskriver framsteget som en ”game changer”. Han passar också på att påminna att bolaget innehar en ledande roll inom kraftelektronik på de tre material som idag är relevanta, kisel (Si), kiselkarbid (SiC) såväl som galliumnitrid (GaN).
Galliumnitrid är ett ett wide bandgap-material som tillåter designande av kretsar med högre spänningar och strömmar till lägre energiförluster än kisel, men med högre pris som nackdel. I jakten på högre verkningsgrader i den gröna omställningens tidevarv anammas dock materialet i allt högre grad än tidigare, trots sitt prishandikapp. Galliumnitrid kan till skillnad från kiselkarbid tillverkas på existerande produktionslinor som traditionellt kisel med relativt enkla modifikationer.