HemNyheterTillverkningIntel minst två år före Samsung och TSMC med Backside Power Delivery

Intel minst två år före Samsung och TSMC med Backside Power Delivery

Den revolutionerande tekniken kan ge Intel en fördel i att vinna nya kunder i spjutspetsen.

Med Intels intåg på foundry-scenen har två tillverkare blivit tre vad gäller att kunna tillhandahålla tillverkning i spjutspetsen. Mot slutet av 2024 lanserar Intel produkter producerade på tekniken Intel 20A (2 nanometer) med vilken bolaget hoppas återta sin tidigare tillverkningstekniska ledning, en ledning de gick miste om i samband med sin mångåriga försening av 10 nanometer.

En viktig del i att lyckas med sina ambitioner är introduktionen av Backside Power Delivery (BSPD), av Intel kallat PowerVIA, som bolaget nu väntas introducera långt innan konkurrenterna. Samsung gick under sitt årliga event Samsung Foundry Forum (SFF) ut med att de introducerar tekniken med sin tredje generations 2-nanometersteknik, SF2Z, och att denna väntas gå in i produktion först 2027. TSMC å sina sida avser ta BSPD i produktion med sin A16-teknik (1,6 nanometer) till slutet av 2026.

När nu Samsungs och TSMC:s planer för BSPD är officiella står det klart att Intel blir ensamma med BSPD i åtminstone två års tid, men i praktiken närmare tre år. Detta då Samsungs och TSMC:s tidsplaner handlar om att gå in i produktion, medan Intel å sin sida redan är i produktion och lanserar faktiska produkter i slutet av 2024. För TSMC:s del kan produkter med kretsar tillverkade på A16 väntas vara tillgängliga först sommaren eller hösten 2027, medan Samsungs SF2Z sannolikt dröjer till senare samma år eller till början av 2028.

Tekniken BSPD kan med fog beskrivas som revolutionerande vid kretstillverkning, men också avgörande för framtida transistorkrympning. Traditionellt har strömförsörjning och signaler till transistorerna delat utrymme på ovansidan av en krets, något som blivit ett allt större problem när vi rör oss mot mindre geometrier. Förutom att båda delar konkurrerar om allt mindre utrymme ökar resistans, kapacitans och spänningsfall, något BSPD ska komma tillrätta med genom att flytta strömförsörjningen till ”baksidan” av kiselskivan.

Genom att separera transistorsignaler och strömförsörjning väntar sig trion få till stånd flera stora fördelar jämfört mot om BSPD inte används. För att ta ett grovt snitt av allas utfästelser medför BSPD cirka 10–20 procent högre transistordensitet, 10–15 procent högre klockfrekvens vid samma effektuttag alternativt 15–20 procent lägre strömförbrukning vid samma klockfrekvens, vilket samtidigt går att åstadkomma med 5 procent lägre spänning. Samtidigt kan ledningarna, som nu är på varsin sida om kiselskivan, göras tjockare för ökad signalintegritet och möjlighet att mata högre spänning.

Värt att nämna är att Intel 20A blir en kortlivad historia i spjutspetsen, då bolaget redan ett halvår senare under 2025 års första hälft introducerar Intel 18A som också blir dess viktigaste teknik på åratal. Det här är nämligen den första som på riktigt är utformad bolagets nya foundry-satsning och externa klienter. Här har de redan fått en rad storkunder på tåget, där några nämnvärda är MicrosoftEricsson och amerikanska försvaret.

KällaSamsung
Jacob Hugosson
Jacob Hugosson
Chefredaktör och medgrundare av Semi14. Datornörd som med åren utvecklat en fallenhet för halvledarbranschen. Har under 13 år skrivit för tidningar i print och online, hos vilka han verkat som alltifrån chefredaktör till community manager.
Relaterade artiklar
Annons

Läs också