Att USA är mitt uppe i ett handelskrig med Kina inom halvledare är vida känt – men de amerikanska försöken att hålla Kina i kylan har på senare tid fått sig en törn när SMIC visat sig kapabla att tillverka kretsar på 7 nanometer. Nu rapporteras USA vara i full färd med att sjösätta nästa farthinder på vägen mot kinesiska framsteg inom halvledartillverkning. Denna gång är melodin att förbjuda försäljning av EDA-mjukvara (electronic design automation) till landet.
Mer specifikt handlar förbudet om EDA-mjukvara (electronic design automation) som kan hantera transitorer av GAAFET-typ, vilka ses som nästa viktiga framsteg i jakten på allt mindre och effektivare transistorer. Den specialiserade mjukvaran i fråga är ett absolut krav för att utveckla moderna komplexa kretsar i takt med att transistorerna krymps och antalet transistorer per krets ökar. Förbudet innebär sannolikt dels ett rent embargo på försäljning, men också att existerande licenser i Kina termineras på distans.
Förbudet sjösätts av USA på liknande grunder som tidigare halvledarrelaterade förbud – på pappret gäller det nationell säkerhet. Leverantörer av EDA-mjukvara inkluderar bolag som Cadence, Synopsys och Siemens, vilka samtliga nyttjar amerikanska patent – likt nederländska ASML som på grund av detta tvingats avstå försäljning av litografiutrustning med EUV-strålning till Kina. Även utrustning för framställning av minnestypen 3D NAND med tillverkningsteknik mindre än 14 nanometer och kapacitet över 128 lager har belagts med exportförbud.
![](https://semi14.se/wp-content/uploads/2022/03/GAAFET.jpg)
Samsung har redan introducerat GAAFET på marknaden med sin tillverkningsprocess om 3 nanometer och världens största kontraktstillverkare TSMC väntas under år 2025 följa efter vid lanseringen av sin process N2, 2 nanometer. Namnet GAAFET står för Gate-All-Around Field Effect Transistor, och innebär att transistorns kanaler helt omgärdas av grinden, vilket möjliggör lägre drivspänning än tidigare.
Kärt barn har även många namn – på Samsung-språk kallas den nya tekniken MBCFET, Multi-Bridge Channel FET och refererar till kanalens blad som ett ”nanosheet”. Nanosheet är vad även TSMC kallar transistortypen och i stora drag är teknikens stora styrka att bladets (sheet) bredd kan anpassas för att passa olika applikationer.
Intel väntas också introducera GAAFET med sin egen 2-nanometersprocess – 20A, eller 20 Angstrom, i brist på bokstaven Å i sitt alfabet. Här får transistorgrindarna och kanalerna ännu fler beteckningar, RibbonFET och Powervia. Intel 20A ska stå produktionsklar under 2024 års första hälft.