Att USA är mitt uppe i ett handelskrig med Kina inom halvledare är vida känt – men de amerikanska försöken att hålla Kina i kylan har på senare tid fått sig en törn när SMIC visat sig kapabla att tillverka kretsar på 7 nanometer. Nu rapporteras USA vara i full färd med att sjösätta nästa farthinder på vägen mot kinesiska framsteg inom halvledartillverkning. Denna gång är melodin att förbjuda försäljning av EDA-mjukvara (electronic design automation) till landet.
Mer specifikt handlar förbudet om EDA-mjukvara (electronic design automation) som kan hantera transitorer av GAAFET-typ, vilka ses som nästa viktiga framsteg i jakten på allt mindre och effektivare transistorer. Den specialiserade mjukvaran i fråga är ett absolut krav för att utveckla moderna komplexa kretsar i takt med att transistorerna krymps och antalet transistorer per krets ökar. Förbudet innebär sannolikt dels ett rent embargo på försäljning, men också att existerande licenser i Kina termineras på distans.
Förbudet sjösätts av USA på liknande grunder som tidigare halvledarrelaterade förbud – på pappret gäller det nationell säkerhet. Leverantörer av EDA-mjukvara inkluderar bolag som Cadence, Synopsys och Siemens, vilka samtliga nyttjar amerikanska patent – likt nederländska ASML som på grund av detta tvingats avstå försäljning av litografiutrustning med EUV-strålning till Kina. Även utrustning för framställning av minnestypen 3D NAND med tillverkningsteknik mindre än 14 nanometer och kapacitet över 128 lager har belagts med exportförbud.
Samsung har redan introducerat GAAFET på marknaden med sin tillverkningsprocess om 3 nanometer och världens största kontraktstillverkare TSMC väntas under år 2025 följa efter vid lanseringen av sin process N2, 2 nanometer. Namnet GAAFET står för Gate-All-Around Field Effect Transistor, och innebär att transistorns kanaler helt omgärdas av grinden, vilket möjliggör lägre drivspänning än tidigare.
Kärt barn har även många namn – på Samsung-språk kallas den nya tekniken MBCFET, Multi-Bridge Channel FET och refererar till kanalens blad som ett ”nanosheet”. Nanosheet är vad även TSMC kallar transistortypen och i stora drag är teknikens stora styrka att bladets (sheet) bredd kan anpassas för att passa olika applikationer.
Intel väntas också introducera GAAFET med sin egen 2-nanometersprocess – 20A, eller 20 Angstrom, i brist på bokstaven Å i sitt alfabet. Här får transistorgrindarna och kanalerna ännu fler beteckningar, RibbonFET och Powervia. Intel 20A ska stå produktionsklar under 2024 års första hälft.
