TSMC har stakat ut färdplanen mot 1,2 nanometer (produktnamn A12) år 2029 under sitt event 2026 North America Technology Symposium. Nämnvärt är att bolaget förväntar sig att producera de kommande kretsarna utan ASML:s absolut dyrbaraste litografiutrustning med EUV-strålning av High-NA-typ – för att istället fortsätta nyttja den något mindre dyrbara Low-NA-utrustningen bolaget redan fasat in.
Klart står att A12 blir en vidareutveckling av nästa års A16 och fortsatt förses med Backside Power Delivery (BSPD), med fokus på AI- och HPC-marknaden. Parallellt med A12 introduceras också A13 – som blir en krympt version av 1,4-nanometersprocessen A14 vars planerade produktionsstart är år 2028. Som om A13 inte vore överraskning nog utannonserades också N2U, en 2‑nanometersprocess med fokus på energieffektivitet, som likt A14 produktionsstartas någon gång år 2028
We are introducing derivatives of A14, including A13 and A12, both planned for production in 2029. A13 is an incremental enhancement of A14 achieved primarily through optical shrink, delivering about 6% area reduction while maintaining full design-rule and electrical compatibility, enabling customers to benefit with minimal redesign.
– Kevin Zhang, Senior VP, TSMC, enligt Tom’s Hardware
Bolagets Kevin Zhang uttryckte att A13 är en optisk krympning av A14, som för med sig en 6‑procentig minskning i area, med ”minimala” krav på designändringar. Designreglerna lämnas oförändrade, och innebär att kretsar som visar sig populära och tillverkas på A14 sannolikt kommer få sig en lättare facelift och fortsätta tillverkas på A13. För de två tillverkningsteknikerna står sannolikt processorer i form av avancerade CPU:er i fokus – medan AI-processorer med höga effektuttag sannolikt kommer tillverkas på A16 och A12 i första hand tack vare BSPD och tillhörande bättre strömhantering.
TSMC anammar med andra ord en strategi med två spår beroende på tänkt produktsegment framledes. Där processvarianter generellt utmärks genom ett suffix, exempelvis N2P för ”2 nanometer Performance” är de i grund och botten samma process med olika densiteter på cellbibliotek. Detta är något TSMC sedan 3-nanometersprocessen N3 har blivit mer flexibla med genom FinFlex, som Semi14 tidigare avhandlat – och med start A16 blir spåren snarare BSPD eller inte BSPD beroende på om kretsen designas för AI och HPC (High-Performance Computing) eller något annat.
Trots att produktplanerna förgrenas beroende på tilltänkt applikation kommer inte suffixen och specialvarianterna försvinna från TSMC:s produktplaner. TSMC låter i sin sammanfattning från North America Technology Symposium meddela inte mindre än två specialfall aktuella för kommande produktion – N3A/N2A (3/2 nanometer för fordonsbranschen, Automotive) samt N16HV på 16 nanometer. Den sistnämnda ska enligt bolaget vara branschens första FinFET-transistorer för högspänning (High Voltage) – tänkt ersättare för TSMC:s 28-nanometersprocess med samma suffix för bruk i drivkretsar för bildskärmar.
