TSMC ser ut att bli den enda kontraktstillverkaren som inte förlitar sig på EUV-litografi av typen High NA (Numerical Aperture) i sina produktplaner för 1,4 nanometer, produktnamn A14. Detta framgår av ett uttalande från den nederländska litografimakaren ASML:s VD Christophe Fouquet till Nikkei, där han gör gällande att Intel, Samsung och SK Hynix blir först ut med utrustningstypen i skarp produktion.
ASML har monopol på utrustning med EUV, och i korta drag kan High NA beskrivas som andra generationens EUV-scanner från bolaget. Där bolagets tidigare EUV-utrustning, med NA-värdet 0,33 har en upplösning på 13 nanometer medger High NA med sin apertur om 0,55 istället en upplösning om 8 nanometer. Resultatet är mindre kiselstrukturer per litografisk exponering för fortsatt skalning mot allt mindre transistorer, med än högre kostnad än tidigare – uppemot 400 miljoner USD per High NA-enhet, upp från omkring 200 miljoner per Low NA-scanner.
EUV-utrustning av senaste snitt beskrivs av ASML som det kanske enklaste sättet att producera logik om 1,4 nanometer och mindre samt vägen för minnestillverkarna att slutligen skala bortom 10-nanometersklassen. Här har bolag som Samsung, SK Hynix och Micron sedan länge gått över till att tala om generationer av 10-nanometersprodukter, där nuvarande processer refereras till som femte (1b) och sjätte generationens (1c) 10 nanometer.
När taiwanesiska Trendforce sammanställer EUV-landskapet ur High NA-synvinkel står det klart att så gott som alla storspelare på foundry-fronten har en plan för att anamma tekniken i närtid – TSMC undantaget. Semi14 rapporterade också redan under 2024 att TSMC hade High NA-utrustning på ingång och att utrusningen från ASML möjligen skulle fasas in i massproduktion med 1,4-nanometersprocessen A14 år 2028. Det senaste budet är nu istället att TSMC kommer utnyttja utrustningen för den högpresterande varianten av processen, A14P, och inte för hela produktfamiljen.
Intel gjorde strax innan årsskiftet 2025–2026 en stor sak om att bolaget installerat sin första High NA-scanner ämnad för massproduktion, utrustning som ska ”bära bolaget in i framtiden bortom 1,8 nanometer”. På ren svenska innebär det att Intel räknar med att tillverka kretsar på 1,4 nanometer (Intel 14A) med High NA-utrustning.
Även Samsung tog emot sin första High NA-scanner för forskning och utveckling under 2025 och väntas under 2026 års första hälft emotta ytterligare en, skriver Korea Economic Daily. Den nya maskinen väntas komma till användning redan på bolagets produktionslinor för logik på 2 nanometer – som officiellt gick in i massproduktion under november 2025. Huruvida ny, än mer avancerad utrustning från ASML kan förbättra bolagets yield och kundnöjdhet på 2 nanometer återstår att se, men klart är i alla fall att Samsung storsatsar efter att ha tecknat stora kontrakt med bland annat Tesla efter år i träda.
Exakt hur det japanska halvledarhoppet Rapidus ska framställa sina kretsar på 2 nanometer år 2027 är heller ännu inte klarlagt i detalj. Enligt Nikkei (japanska) väntas bolaget däremot inleda byggnationen av en andra fab för 1,4 nanometer under våren eller sommaren 2027 med produktionsstart år 2029 och därtill bygga en forskningsanläggning för framtida halvledarprocesser. Den sistnämnda väntas stå klar år 2030, men båda anläggningarna är åtminstone i teorin väldigt goda kandidater för High NA-utrustning – om bolagets ambitioner att producera kretsar och bolaget bär sig.
Minnesproduktion och High NA EUV
Även minnestillverkaren SK Hynix emottog under hösten 2025 sin första EUV-scanner av High NA-typ och väntas fasa in utrustningstypen med sin sjätte genereration 10-nanometersprocess (1c) för DRAM. Värt att notera i sammanhanget är att bolaget inte kommer använda 1c för sina kommande HBM4-kretsar, vilka väntas utgöra uppemot 70 procent av Nvidias minneskretsar för datacenter under 2026. Bolagets minneskretsar på femte generationens 10 nanometer (1b) bygger på tre lager med EUV, något som till 1c väntas öka till fem lager – exponerade med High NA EUV.
En mindre tydlig position har istället amerikanska Micron, som räknas till de tre största DRAM-tillverkarna. Utöver Samsung och SK Hynix är bolaget det enda som producerar dyrbara HBM-kretsar för AI-bruk i nämnvärda volymer och uppges som bäst utvärdera användningen av High NA för framtida bruk. Micron har också klart lägst marknadsandel på HBM-marknaden av de tre stora och kommer leverera HBM4-kretsar till Nvidia i år. Bolaget nyttjar också sedan tidigare EUV av Low NA-typ i sin produktion, varför en SK Hynix-liknande strategi där framtida processer gradvis ökar andelen EUV-exponeringar och fasar in High NA-utrustning på nya produktionslinor känns som en lågoddsare.
