När satsningar på nya fabriker och utökad kapacitet för tillverkning av chip kommuniceras står ofta lukrativa spjutspetstekniker i fokus. Merparten av världens kretsar tillverkas dock på billigare, äldre, välbeprövade och på olika vis optimerade tekniker. Under 2021 stod så kallade legacy nodes (sv. äldre noder) på 16 nanometer och äldre för 50 procent av TSMC:s omsättning.
Samsung som blev kontraktstillverkare av kretsar 2005 har satsat på att erbjuda spjutspetstekniker till sina kunder, medan äldre noder i mångt och mycket stått tillbaka. Under pandemin har efterfrågan växt på alla områden och då även på äldre tillverkningsprocesser, varför Samsung med start i år ska bygga ut kapaciteten för dessa.
Uppgifterna kommer från Business Korea, som skriver att Samsung 2021 aviserade att de övervägde att framöver investera i äldre noder. Syftet med att satsa på äldre noder är att locka nya kunder, där Samsung sannolikt ser en öppning hos de företag som är missnöjda med allokeringen på annat håll.
Förutom att bygga ut sin tillverkningskapaciteten ska Samsung lägga mer resurser på utveckling av äldre noder. I oktober 2021 gick Samsung ut med att de ökat effektiviteten i produktion genom att lägga till Fin Field-Effect Transistor (FinFET) på en 17-nanometersprocess för bildsensorer (CIS) och 28 nanometer som används för bland annat styrkretsar (DDI) till skärmar.
Att blicka bortom de mest avancerade spjutspetsteknikerna är viktiga i Samsungs ambition att gå upp mot TSMC, vars marknadsandel är drygt den tredubbla. Samsung hade under 2021 drygt 100 klienter som kontraktstillverkade i dess fabriker, medan TSMC samma år hade 500 kunder. Målet för Samsung är att fram till 2026 växa rejält till 300 kunder.
För att nå dit investerade Samsung under förra året 40 biljoner won (KRW), cirka 33 miljarder dollar eller 312 miljarder kronor, i infrastruktur, minnesfabriker och fabriker dedikerade kontraktstillverkning. För 2022 räknar Samsung med att investera runt 45 biljoner won och då ska en stor del gå till just verksamheten för kontraktstillverkning.
Satsningen på äldre noder betyder givetvis inte är nya står tillbaka. Nyligen lanserades en ny generation systemkretsar från Samsung och Qualcomm, Exynos 2200 respektive Snapdragon 8 Gen 1, tillverkade på 4 nanometer. Näst på tur står 3 nanometer med den nya transistordesigen Gate All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET), vilken på pappret levererar betydande förbättringar inom energieffektivitet och prestanda jämfört mot FinFET som används av dagens moderna kretsar. Tekniken ska vara redo för produktion under 2022 års första hälft.
