CXMT når 90-procentig yield på DDR5-kretsar

En av de kinesiska minnesuppstickarna, Changxin Memory Technologies (CXMT), uppges ha åstadkommit en yield om över 90 procent vid produktion av sina DDR5-kretsar, rapporterar Mydrivers. Tillgång till inhemskt primärminne (DDR) av modernt snitt var så sent som några år sedan Kinas största farthinder på vägen mot självförsörjning av halvledare – men precis som YMTC seglat upp bland världsledarna inom lagringsminne (NAND) kan CXMT nu mäta sig med ledande bolag inom DDR5-produktion.

CXMT är fortsatt officiellt förpassat till äldre tillverkningstekniker till följd av amerikanska restriktioner på export av utrustning och mjukvara för halvledartillverkning till Kina. Det innebär att CXMT tillverkar DDR5-kretsar på vad som officiellt kallas 17 nanometer av bolaget. Nämnvärt är att Samsungs motsvarande nod ”D1y” i dagsläget har en yield om 92–39 procent, detta efter närmare ett decennium av produktion. Brasklappen är att siffrorna inte nödvändigt jämför total yield på exakt likvärdigt sätt tillverkarna emellan.

Den tillverkningstekniska storleksordning som av branschen benämns ”1y” motsvarar ungefär 17 nanometer och introducerades av de ledande minnestillverkarna Samsung, SK Hynix och Micron i DDR4-produkter år 2017–2018. Hur väl CXMT:s 17-nanometersprocess motsvarar trions motsvarande tillverkningstekniker är höljt i dunkel, speciellt då Kina till följd av amerikanska embargon har en anledning att underdriva sina processmässiga framsteg. Med dagens allmänt tillgängliga information kan det däremot grovt förenklat sägas att CXMT tillverkningstekniskt är 5–7 år efter marknadsledarna.

För Kina och framförallt den inhemska konsumentmarknaden är CXMT:s framsteg inom DDR5-produktion välkomna nyheter. Enligt Mydrivers har i princip endast Dell valt att helt förbjuda användningen av CXMT-kretsar i sina datorer, medan HP begränsar försäljningen av enheter med CXMT-minne till den kinesiska marknaden – trots skriande global brist på DDR5-kretsar från Samsung, SK Hynix och Micron till följd av AI-boomen.

Tillverkningstekniker för DRAM och snåriga produktnamn

Där produktnamn för halvledarlogik är relativt enkla att förklara, råder istället något av vilda västern inom minnesproduktion. Vid en första anblick är det bokstavligen rena grekiskan med produktnamn som 1α, 1β och 1γ, vilket kan förklaras med att minnesbranschen valt att gå en annan väg än logiktillverkarna. Ned till cirka 20 nanometer fanns det fortsatt enskilda fysiska egenskaper i minneskretsarna som motsvarande produktnamnet.

Sedan ungefär år 2016 benämns tillverkningsteknikerna istället som 1-någonting, där suffixen närmast är att se som generationer i 10-nanometersklassen. Detta kommer huvudsakligen från att minnescellernas kondensatorer inte längre kan krympas utan att äventyra minneskretsarnas tillförlitlighet och att prestanda istället jagas fram med andra verktyg än traditionella krympningar.

Tacksamt nog har den ledande trion Samsung, SK Hynix och Micron åtminstone delvis harmoniserat sina benämningar. Notervärt i sammanhanget är att Samsungs DRAM-processer formellt heter D1x, där D:et står för just DRAM – men att bolaget ofta refererar till produktnamnet utan D:et i fråga. En liknande fallgrop finner vi hos SK Hynix, där ett exempel på fullständigt produktnamn är 1xnm, där suffixet ”xnm” är en del av produktnamnet – ”nm” uttalas i det här fallet som bokstäverna står inte för ”nanometer”.

Amerikanska Micron tar i praktiken rygg på Samsung och SK Hynix, men är ensamma om att använda grekiska bokstäver som alfa (α), beta (β) och gamma (γ) – där nästa generation följaktligen väntas få namnet delta (1δ).

Detta skiljer sig från processnamnen hos logik. Huruvida minnesbranschen gjort det lättare eller svårare att förstå utvecklingen låter Semi14 vara osagt, men inom logik används fortsatt nanometer och ångström (Å, anglifierat som A) för att indikera hur avancerad en process är. Här är andemeningen däremot att likställa produktnamnet med den transistordensitet som hade kunnat uppnås med traditionella (planar) transistorer på tillverkningsteknikens namn – dagens 2-nanometersprocesser med GAAFET har faktiska interconnect pitch-storlekar om nedåt 26 nanometer.