Samsung väntas inleda tillverkning i 1-nanometersklassen år 2030, rapporterar ZDNet med hänvisning till produktplaner. Bolaget uppges också ha önskat fasa in ASML:s EUV-scanners av High NA-typ redan för produktion av nu aktuella 2 nanometer och kommande 1,4 nanometer (SF1.4) år 2029, något som nu således ska ha skjutits på framtiden till 1-nanometersprocessen A10.
Vis av erfarenhet från tidigare nodskiften väntas Samsung införa två nya processer år 2030, där High NA-litografiutrustningen först invigs på en vidareutvecklad SF1.4-process. Bolaget har tidigare fokuserat på vad som kan anses vara allt för ambitiösa teknikkliv i sina produktplaner, med katastrofal yield och uteblivna kunder som följd. Ett handfast exempel på detta är 3-nanometersprocessen SF3, som först efter två år fick en namnkunnig kund – andra delar av Samsung-konglomeratet.
Trots en mellanlandning på 1,4 nanometer och en gradvis infasning av High NA-utrustning väntas Samsung inte vara konservativt. Den stora nyheten med bolagets 1-nanometersprocess blir införandet av transistortypen forksheet, där NMOS- och PMOS-transistorer placeras närmare varandra intill en tunn dielektrisk vägg. Forksheet kan ses som en vidareutveckling av Gate All-Around Field Effect Transistor (GAAFET), innan ledande kontraktstillverkare i stort väntas gå över till Complimentary FET (CFET) omkring 0,8–0,7 nanometer.
Up to the 1.4nm and 1nm process, the 0.33 NA EUV-based multi-patterning will be the mainstream. […] I think the next generation process will be the main one for the next generation of high-NA patterning.
– ChangMin Park, VP of Technology, Samsung
Till ZDNet säger Samsungs ”Master”, eller VP of Technology, ChangMin Park att dagens EUV-litografiutrustning av Low NA-typ från ASML kommer stå högst upp på agendan. Det kan i praktiken översättas till att tillverkningen på 1,4 och 1 nanometer kommer att fasa in High NA-litografi gradvis i en del av processtegen. Park ser istället en framtid bortom bolagets 1-nanometersprocess, där High NA-utrustningen blir ”mainstream” och det huvudsakliga verktyget för kretstillverkning i spjutspetsen.
Samsung väntas bli tvåa på High NA-bollen, då Intel redan under hösten 2025 blev först att bruka utrustningen med bolagets senaste 1,8-nanometersteknik (Intel 18A). Marknadsdominerande TSMC har antagit en avvaktande position och presenterat produktplaner som sträcker sig till och med 2029 års 1,2 nanometer (produktnamn A12), där en av paradnumren är att bolaget inte kommer använda utrustning av High NA-typ – men bygger från och med 2028 och 1,4 nanometer (A14) väl ”andra generationens nanosheet-transistorer”.
