HemNyheterHalvledareUSA överväger ytterligare GAAFET-sanktioner mot Kina

USA överväger ytterligare GAAFET-sanktioner mot Kina

Efter förbud att exportera utvecklingsverktyg för transistortypen kan direkta förbud mot produkter med GAAFET vara på tapeten.

Biden-administrationen kan komma att förbjuda export av kretsar som bygger på transistorer av GAAFET-typ (Gate All-Around Field Effect Transistor) till Kina helt och hållet, rapporterar Bloomberg. Anledningen som uppges är i vanlig ordning att kretsar som bygger på den avancerade transistortypen kan användas i militära syften av Kina – och därtill i AI-applikationer.

Redan år 2022 förbjöd USA sina EDA-bolag (eng. Electronic Design and Automation) att sälja verktyg till Kina som möjliggör utvecklingen av GAAFET. I samma veva förbjöds exporten av avancerade kretsar från bolag likt Nvidia, restriktioner som i omgångar därefter både skärpts och breddats i omfattning.

Transistortypen GAAFET är i dagsläget endast i massproduktion hos Samsung, som redan år 2022 bjöd ut tekniken till kunder med lanseringen av sin 3-nanometersprocess. Intel å sin sida är igång med produktion av transistortypen på sin 2-nanometersprocess som väntas nå butikshyllorna i bolagets egna produkter senare i år. Marknadsledande TSMC introducerar GAAFET med sin egen 2-nanometersprocess år 2025.

Värt att nämna är också att själva transistortypen i sig inte gör den speciellt lämpad för AI eller militära applikationer. Istället är GAAFET en evolution av transistorn som vi känner den, vilken gör det möjligt att packa transistorer än tätare i takt med att litografiutrustning och tillverkningsprocesser anammar allt högre upplösning. Tack vare GAAFET möjliggörs helt enkelt ett teknikskifte som motsvarar övergången till en ny nod, något som brukar resultera i en sänkt strömförbrukning alternativt högre prestanda i storleksordningen 15–25 procent.

Förbättringarna GAAFET medger skulle med ovan i åtanke potentiellt kraftigt förbättra de tekniker Kina har till förfogande. SMIC, landets största kontraktstillverkare och helt central i dess halvledartekniska avancemang, kan idag tillverka kretsar på en 7-nanometersprocess och tros med befintliga verktyg kunna nå i alla fall 5 nanometer. Det senare tillsammans med GAAFET skulle därmed teoretiskt möjliggöra att landet inte hamnar alltför hopplöst efter västvärlden.

Kina har sedan tidigare effektivt stängts ute från möjligheten att utveckla GAAFET med verktyg från de ledande EDA-bolagen – där samtliga praktiskt taget är amerikanska. Utrustning av senare snitt från Nederländska ASML, totaldominant på marknaden för litografiutrustning för halvledartillverkning, är också ett absolut krav för att kunna tillverka moderna kretsar med GAAFET.

ASML har undvikit problematiken genom att aldrig sälja utrustning med EUV-strålning (Extreme Ultraviolet) till Kina, och belades under 2023 med förbud att sälja ens sin mest avancerade konventionella DUV-utrustning (Deep Ultraviolet) till landet. I april 2024 tvingades bolaget ta sin roll i teknikkriget mot Kina ännu ett steg längre, då bolaget meddelade att redan installerad utrustning i mittens rike kommer lämnas utan möjlighet till service – vilket är tänkt att leda till ett långsamt förfall av landets möjlighet att tillverka halvledare.

Exakt vad de nya exportförbuden kommer innefatta står ännu inte klart, men Reuters noterar att det första förslaget på ett utökat GAAFET-förbud kritiserats av den amerikanska halvledarbranschen till följd av att det setts som för långtgående och brett. Klart står åtminstone att det sannolikt handlar om ett förbud att sälja avancerade produkter, då utrustning och mjukvara för att utveckla GAAFET sedan tidigare belagts med säljförbud.

KällaReuters
Jonas Klar
Jonas Klar
Ansvarig utgivare och medgrundare av Semi14. Började skruva med elektronik år 2003 och inledde därefter skribentkarriären med att skriva om datorkomponenter år 2005. Har på senare år intresserat sig allt mer för affärerna och forskningen i halvledarbranschen.
Relaterade artiklar
Annons

Läs också