HemNyheterSamsung väntas inleda produktion på 2 nanometer tidigt år 2025

Samsung väntas inleda produktion på 2 nanometer tidigt år 2025

Efter två år av inte mycket alls på 3 nanometer gör Samsung återigen stora utfästelser.

Samsungs halvledardivision planerar att sjösätta en produktionslina för kretsar på 2 nanometer så snart som under första kvartalet nästa år, rapporterar kinesiska Ijiwei. Enligt rapporten har Samsung börjat installera utrustning för ändamålet i bolagets anläggning i Hwaseong, med målet att produktionsstarta 7 000 kiselskivor per månad (WSPM, wafer starts per month) första kvartalet 2025.

Än mer ambitiösa är Samsungs planer på att inleda begränsad produktion på 1,4 nanometer kort därefter. Redan under 2025 års andra kvartal har bolaget som mål att takta 2 000–3 000 WSPM på 1,4 nanometer inför massproduktion som planeras för år 2027. Pilotlinan för 1,4 nanometer kommer huseras i Samsungs anläggningar i Pyeongtaek.

Bild: Samsung

Intressant i sammanhanget är också att Samsung uppges migrera produktionen från 3 nanometer till 2 nanometer under år 2025. Samsung var först ute med transistorer i 3-nanometersklassen, där lanseringen på pappret skedde redan under 2022 års första hälft. Samsung var där och då först ut med GAAFET, men har sedan lanseringen brottats mot envisa rykten om katastrofal yield samtidigt som konsumentprodukter byggda på tekniken fram till nyligen lyst med sin frånvaro.

Huruvida Samsung hastar fram ännu ett teknikskifte för att på papper befästa sitt tekniska övertag mot TSMC och Intel återstår att se. Där analytiker menar att Samsungs process på 2 nanometer kan vara bolagets sista chans att hävda sig som en kontraktstillverkare är Semi14:s spaning att Samsungs 2 nanometer produktmässigt kommer bli det bolaget hävdade att dess 3-nanometersprocess skulle vara.

Samsung har under dryga två år nu filat på produktion av GAAFET, transistortypen som inte kommer introduceras av TSMC förrän det taiwanesiska bolagets 2-nanometersprocess som väntas anlända sent under 2025. Intel å sin sida har redan inlett produktion med sin egen process på 2 nanometer (Intel 20A) där målet är att bita av en så stor del som möjligt av halvledarkakan – med både GAAFET och BSPD (backside power delivery) på samma gång.

Huruvida det sydkoreanska bolaget kan göra sin egen 2-nanometersprocess till den framgångssaga som väntades med 3 nanometer återstår att se. Sannolikt är inte förtroendet hos prospektiva kunder på topp efter närmare tre år av katastrofrapporter gällande Samsungs process, men marknaden skulle onekligen välkomna trevägskonkurrens mellan TSMC, Samsung och Intel.

Jonas Klar
Jonas Klar
Ansvarig utgivare och medgrundare av Semi14. Började skruva med elektronik 20 år sedan och inledde skribentkarriären med att skriva om datorkomponenter år 2005. Har på senare år intresserat sig allt mer för affärerna och forskningen i halvledarbranschen.
Relaterade artiklar
Annons

Läs också