Den sydkoreanska giganten Samsung haltar med sin verksamhet för kontraktstillverkning (foundry) och även på minnessidan går Samsung i motvind. Nu rapporterar Digitimes att bolaget stött på patrull med utvecklingen av nästa generations primärminne, DRAM, med tillverkning på sjätte generationens 10-nanometersteknik (1c DRAM) som ser ut att bli försenad.
Enligt uppgifterna bottnar den eventuella senareläggningen i ett för Samsung känt problem – yield. Medan bolaget lyckats med att producera fungerande minneskretsar enligt tekniken 1c DRAM är antalet fungerande efter produktion, yield, under förväntan. Vilka nivåer Samsung ligger på med 1c DRAM framgår inte, men typiskt i branschen är att man i början av storskalig produktion vill ligga på 60–70 procent. Dels för att nå lönsamhet, dels av prestandaskäl.
Det är mycket som avgör huruvida ett bolag har bra yield eller inte på en tillverkningsteknik, såsom storleken på en krets, transistordensitet och önskad prestanda. Ett vanligt knep för att ökad andelen fungerande kretsar är att tumma på prestandan genom att sänka önskad klockfrekvens, öka spänningen eller en kombination av båda delar. Det här är en väg Samsung ofta tar när de rusar mot nya spjutspetstekniker de ännu inte bemästrar, men i det här fallet är det sannolikt inte en gångbar väg.
Under 2024 rapporterades återkommande om att Nvidia ratade Samsung som leverantör av DRAM-minnestyperna HBM3 och HBM3E för grafikjättens AI-kretsar, bland annat på grund av för hög strömförbrukning och värmeutveckling. Exempelvis ska Samsung med HBM3 och HBM3E under våren ha haft en yield på blott 10–20 procent, att jämföra med SK Hynix betydligt högre och mer önskvärda 60–70 procent. Nvidia ska än idag inte vara tillfreds med Samsungs HBM-minne och har fortsatt SK Hynix som ensam underleverantör.
Samsung är inte utan kunder med HBM3 och HBM3E och levererar bland annat till Nvidias främsta, men på AI-scenen betydligt mindre, konkurrent AMD. För dessa minnestyper använder Samsung sin femte generations 10 nanometer kallad 1b DRAM. Under CES 2025 berättade Nvidias VD Jen-hsun Huang själv att anledningen till att de ännu inte använder HBM från Samsung är behovet av ”nya designer”, vilket antyder om just designproblem.
Planen från Samsung var att gå in i produktion med 1c DRAM under 2025 års andra hälft och det är denna tidsram de kan komma att missa, vilket kan resultera i att de missar ännu en anhalt för AI-tåget. Under 2026 lanseras de första High-Performance Computing-produkterna (HPC), där bland annat AI-beräkningskort ingår. Dessa ska dra nytta av HBM4 och det är just 1c DRAM som ska ligga till grund för produkter med minnestypen.
Samtidigt som Samsung erfar fortsatta problem med allt som rör halvledare i spjutspetsen ångar konkurrenterna på. Den sydkoreanska rivalen SK Hynix och amerikanska Micron planerar båda gå in i produktion under 2025 års första hälft för att kunna inleda leveranser till kunder likt Nvidia under årets andra hälft – i lagom tid till nästa generations AI-kretsar. Det påpekas även att SK Hynix valt att nyttja sin 1b DRAM-teknik för första generationens HBM4, just för att minimera risken att stöta på patrull längs vägen mot kommersialisering. Både SK Hynix och Micron ska dock ha sina motsvarande 1c DRAM-tekniker färdiga.
När Samsung kan tänkas gå in i storskalig produktion är ännu inte känt, men bedömare tror att det kan dröja till slutet av 2025 – som tidigast. På grund av problemen med 1c DRAM har bolaget tvingats gå tillbaka till ritbordet för att revidera tekniken och i regel tar det runt ett halvår att ta steget från utveckling till produktion.
