HemNyheterAffärerSamsung går på jakt efter före detta Intel-anställda

Samsung går på jakt efter före detta Intel-anställda

Experter inom glassubstrat, paketering och BSPD står på önskelistan.

Intel har under sin senaste VD Lip-Bu Tan inlett stora nedskärningar i personalstyrka, där Tan själv sagt att onödiga mellanchefer behöver stryka på foten i jakt på lönsamhet för bolaget. Nu uppger sydkoreanska Chosun Biz att Samsung välkomnar många före detta Intel-anställda, speciellt inom paketering, glassubstrat och ingenjörer med erfarenhet av transistorer med Backside Power Delivery (BSPD).

Högst upp på Samsungs önskelista tycks bättre paketeringslösningar stå, då bolaget värvat Intel-veteranen Gang Duan. Duan ska enligt The Wall Street Journal ha varit instrumental i Intels avancerade paketeringssatsningar med speciellt fokus på glas – material som både Samsung och Intel lyft fram som framtiden för paketering. Där tidigare rapporter gjort gällande att Samsung inleder produktion av glassubstrat 2026 menar The Wall Street Journal nu att det istället är år 2027 som gäller – men då med Duan vid rodret inom technology marketing samt application engineering vid Samsung Electro-Mechanics i USA.

Avancerad paketering är ett område där Samsung ligger efter konkurrenterna med tillverkning i spjutspetsen, TSMC och Intel. Hur Intels egna paketeringslösningar likt Foveros och Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) kommer tjäna kunder blir vi varse om när Intel Foundry på allvar kommer igång med skarp produktion, men klart står att TSMC gräver guld med paketeringstekniken Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) och försäljning av densamma till Nvidias AI-satsningar. Samsungs trevande satsningar på lösningar som Samsung Advanced Interconnect Technology (SAINT) har förvisso sjösatts, men har fått långt ifrån samma uppmärksamhet eller genomslag som Foveros, EMIB och CoWoS.

Samsung väntas utöver satsningar på paketeringsteknik införa BSPD-transistorer med andra generationens 2-nanometersteknologi, något som sannolikt sker år 2027 – medan Intel redan i dagsläget gått in i testproduktion med sin process 18A (1,8 nanometer), där både BSPD och Gate-All-Around Field-Effect-Transistor (GAAFET) brukas. Just GAAFET var något Samsung gjorde ett stort nummer av när bolaget var först med tekniken i samband med lanseringen av bolagets mindre lyckade 3-nanometersprodukt. Gällande BSPD-ingenjörer uppges Samsung ännu inte ha lyckats knipa någon tungt meriterad före detta Intel, men när det sistnämnda bolaget säger upp närmare 25 000 anställda lär passande kandidater inte vara omöjliga att hitta.

Jonas Klar
Jonas Klar
Ansvarig utgivare och medgrundare av Semi14. Började skruva med elektronik år 2003 och inledde därefter skribentkarriären med att skriva om datorkomponenter år 2005. Har på senare år intresserat sig allt mer för affärerna och forskningen i halvledarbranschen.
Relaterade artiklar
Annons

Nyhetsbrev

Prenumerera på vårt nyhetsbrev – våra nyheter i din inkorg cirka en gång i veckan.

Läs också