I ett betydande steg för innovation inom halvledarteknik har de tre ledande europeiska forskningscentran – flamländska Imec, sachsiska Fraunhoferinstitutet (Verbund Mikroelektronik) och franska CEA-Leti – meddelat ett samarbete för att stärka Europas position på den globala halvledarscenen. Under ett nyligt besök vid X-Fab i Dresden av Belgiens kung Philippe uttryckte strategichefer från Imec och Fraunhofer sitt engagemang för att fördjupa detta partnerskap. Samarbetet syftar till att skapa en ”pan-europeisk plattform” för avancerad forskning och produktion inom halvledarteknik, stödd av betydande finansiering som potentiellt överstiger en miljard euro från European Chips Act.
Partnerskapet fokuserar på banbrytande halvledarteknologier. Imec kommer att specialisera sig på avancerade kretsar under 5 nanometer, med målet att matcha styrkan hos globala jättar som TSMC, Samsung och Intel. CEA-Leti planerar att vidareutveckla sin energieffektiva Silicon on Insulator-teknologi (SOI), medan Fraunhofer fokuserar på heterogena kretsar, som kombinerar olika tillverkningstekniker till multifunktionella chip. Dessa synergier tjänar till att förbättra Europas konkurrenskraft inom halvledarsektorn.
Som tidigare rapporterat överväger Imec att etablera en filial i Dresden, Tyskland, vilket speglar en ny våg av samarbete och investeringar inom den europeiska halvledarindustrin. Detta drag, tillsammans med de samarbetsinsatser som görs av ledande europeiska institutioner, markerar en ny strategisk kurs där vikten av enade ansträngningar för att konkurrera globalt inom halvledarteknologi och produktion ersätter ”var man för sig”-mentaliteten.
Nyligen invigde Europeiska kommissionen Chips Joint Undertaking (Chips JU) för att stärka det europeiska halvledarekosystemet och säkerställa Europas teknologiska ledarskap. Detta initiativ överbryggar gapet mellan forskning, innovation och produktion, vilket underlättar kommersialiseringen av innovativa idéer. Chips JU kommer att etablera pilotlinjer med 1,67 miljarder euro i EU-finansiering, vilket förväntas dubblas av medlemsstaterna och kompletteras med privata medel. Totalsumman väntas bli omkring 3,3 miljarder euro.
Dessutom samlades European Semiconductor Board för sitt första möte för att rådge kommissionen om genomförandet av European Chips Act och vägleda internationellt samarbete inom halvledare. Denna styrelse är avgörande för att samordna mellan kommissionen, medlemsstaterna och intressenter för att hantera motståndskraft i leveranskedjan och krisrespons.
Chips JU, som huvudutförare av Chips for Europe Initiative, förvaltar en förväntad budget på nästan 11 miljarder euro fram till 2030. Budgeten är tänkt att stärka Europas ekosystem inom halvledare och ekonomiska säkerhet, genom att inrätta innovativa pilotlinjer, distribuera en molnbaserad designplattform, stödja utvecklingen av avancerad teknik och kapacitet för kvantchip samt etablera ett nätverk för kompetensutveckling. Chips JU förbättrar Europas teknologiska ledarskap genom att överföra kunskap från labb till fab, överbrygga gapet mellan forskning, innovation och industriell verksamhet, samt genom att främja kommersialiseringen av innovativa teknologier av europeisk industri inklusive startups samt små- och medelstora företag.
De första utlysningarna för Chips Acts pilotlinjer inkluderar:
- Fully Depleted Silicon on Insulator (FD-SOI) mot 7 nanometer: Fokusera på europeisk innovation inom transistorarkitektur för applikationer med hög hastighet och energieffektivitet.
- Ledande noder under 2 nanometer: Utveckla banbrytande teknik för avancerade halvledare som är avgörande i olika applikationer, från datorer till kommunikationsenheter.
- Heterogen systemintegration och montering: Använder avancerade förpackningstekniker för att kombinera halvledarmaterial, kretsar eller komponenter i ett kompakt system.
- Wide Bandgap-halvledare: Fokus på material som möjliggör elektroniska enheters funktion vid högre spänningar, frekvenser och temperaturer än traditionella kiselbaserade enheter.
Deadline för dessa utlysningar är i början av mars 2024. De tre första pilotlinjerna – Fully Depleted Silicon on Insulator (mot 7 nanometer), ledande noderna under 2 nanometer, och heterogen systemintegration och montering – verkar redan vara allokerade till de stora europeiska forskningsinstituten Imec, Fraunhofer och CEA/Leti. Detta lämnar Wide Bandgap som en möjlighet för andra länder, inklusive Sverige, att engagera sig i. Med fokus på material för högre spänningar, frekvenser och temperaturer, erbjuder denna fjärde pilotlinje ett unikt område för Sverige att investera och utveckla kompetens inom.
Förutom att satsa på halvledare av Wide Bandgap-typ finns också möjligheter för Sverige att nästla sig in i de andra aktiviteterna genom samarbetsprojektet, forskningsinitiativen eller genom att bli en del av den bredare europeiska halvledarforskningen och utvecklingsnätverket. Sverige kan dra nytta av sin befintliga forskningsinfrastruktur och expertis för att bidra till och dra nytta av dessa europeiska initiativ, vilket ytterligare stärker landets position som avancerad tekniknation.
