Den amerikanska minnestillverkaren Micron meddelar att bolaget tar det första spadtaget i byggnationen av sin kommande megafab i delstaten New York den 16 januari. Som utannonserat redan år 2022 kommer Micron investera 100 miljarder USD i tillverkning på amerikansk mark, där den första av upp till fyra anläggningar nu byggstartas med fokus på ”att möta de ökande kraven från AI-system som är centrala för den moderna ekonomin”.
Målet för Micron är att producera omkring 40 procent av sitt DRAM i USA, där två nya fabs i anslutning till bolagets högkvarter i Boise, Idaho produktionsstartar under 2027 och 2028. Därefter ska den första av de nya anläggningarna i New York stå redo att producera DRAM år 2030, följd av en andra så snart som år 2033. Ytterligare två fabs är planerade i anslutning till dessa två fram till år 2045 – utan att specifika detaljer tillkännagivits ännu.
Enligt den lokala tidskriften Syracuse.com var Microns plan att inleda byggnationen av den första anläggningen i New York redan under sommaren 2024 – något som skjutits på fram till nu efter att en utvärdering av miljöprocesser avslutats. Steg ett i processen uppges vara fällningen av ”hundratals engelska tunnland” (eng. acre) träd till och med den 31 mars. Sagda skog är hemvist för hotade fladdermusarter, vars hem är fridlysta mellan den 1 april och 31 oktober.
Utöver USA satsar Micron även på geopolitisk diversifiering genom nya anläggningar i Japan och Singapore. Sedan tidigare tillverkar bolaget merparten av sitt minne av HBM-typ i Taiwan, något som ska kompletteras av de nya amerikanska anläggningarna såväl som en ny fab i japanska Hiroshima – samtliga understödda av en ny paketeringsanläggning i Singapore, där Micron sedan tidigare producerar lagringsminne (NAND).
Enligt Syracuse.com är så gott som samtliga delstatliga tillståndsprocesser avklarade och ”endast” federala godkännanden saknas. Totalt väntas skattepengar till ett totalt värde av 25 miljarder USD investeras i projektet genom amerikanska Chips Act.
