Under onsdagen meddelade Intel att de gått in i produktion på sin tillverkningsteknik Intel 3, det vill säga bolagets nod i 3-nanometersklassen. Detta gör att företaget i alla fall på pappret är ikapp marknadsledaren TSMC, som å sin sida introducerade 3 nanometer redan december 2022. För Intels del har den nya noden stor betydelse och det på flera plan.
Intel 3 är ingen helt ny nod utan en vidareutveckling av Intel 4, som endast använts i relativt låga volymer för konsumentprocessorerna ”Meteor Lake” till bärbara datorer. Den nya noden är en förbättring på alla plan från transistordensitet till energieffektivitet och prestanda, men även hur den kan tillämpas i färdigpaketerade produkter.
Som brukligt för en polerad tillverkningsteknik erbjuder den högre prestanda – enligt Intel handlar det om en ökad energieffektivitet om 18 procent. Transistorerna klarar nu högre klockfrekvens vid en given spänning jämfört med Intel 4. Vid 0,85 V ökar den teoretiska frekvensen från cirka 3,7 till 4,3 GHz och vid 1,1 volt är deltat snarlikt – från cirka 4,5 till 5,1 GHz.
Ett fokusområde för Intel 3 är även High Performance Computing och därför finns även stöd för spänning upp till 1,3 volt, vilket kan komma väl till pass i applikationer där maximal prestanda prioriteras över energieffektivitet. Detta gäller kanske främst på konsumentsidan, där Intel idag har modeller som kan nå över 6,0 GHz under kortare perioder.
Vidare har Intel filat på transistordensiteten och här ges de själva, men även prospektiva kunder, två alternativ. Bolaget har dels ett nytt högdensitetsbibliotek (HD) på 210 nanometer och ett högpresterande (HP) på 240 nanometer, det senare detsamma som för Intel 4. När detta multipliceras med bredden för Contacted Poly Pitch (CPP) på 50 nanometer blir resultatet 10 500 nm² – 7,4 procent mindre än TSMC:s 3-nanometersteknik N3E.
Jämte de olika densitetsbiblioteken har Intel adderat två alternativ sett till antal metallager. Med Intel 4 fanns endast ett alternativ med 18 lager (18ML) för en optimal balans mellan prestanda och kostnad. Nytt här är ett kostnadseffektivt alternativ med 14 lager (14ML) och ett dyrare med 21 lager (21ML) för prestandaorienterade applikationer.
Bolaget introducerar samtidigt tekniken Intel 3-T, där suffixet ”T” indikerar stöd för Through Silicon Via (TSV) för vertikal stapling (3D) av kretsar. Under 2025 ska de även introducera Intel 3-E med ”specialiserade funktioner” och efter det Intel 3-PT, som förutom stöd för TSV kommer med ytterligare prestandaförbättringar och funktioner.
”Our Intel 3 is in high volume manufacturing in our Oregon and Ireland factories, including the recently launched Xeon 6 ’Sierra Forest’ and ’Granite Rapids’ processors”
– Walid Hafez, Foundry Technology Development Vice President på Intel
De produkter som officiellt tillverkas på Intel är den annalkande serverfamiljen Xeon 6, som består av ”Granite Rapids” med upp till 86 kärnor av den prestandaorienterade arkitekturen Redwood Cove och även ”Sierra Forest”, som erbjuder upp till 144 kärnor av den energi- och densitetsfokusera varianten Crestmont. Vid ett senare skede väntas bolaget även lansera Sierra Forest med upp till 288 kärnor.
Till en början är tillverkningstekniken en tingest för Intel själva, men den kommer även bli tillgänglig för dess foundry-kunder. Det här är viktigt att notera då Intel 3 är den första tekniken som utvecklats med utomstående aktörer i åtanke. Det här är dock ingenting som Intel väljer att trycka på utan istället haussar de upp Intel 18A (1,8 nanometer) som en klientinriktad tillverkningsteknik.
