Avancerad halvledartillverkning med hjälp av EUV-litografi kommer år 2030 förbruka mer än 54 000 gigawatt, enligt kalkyler från Techinsights. Det i sin tur är mer än många mindre länders energiförbrukning, till exempel Grekland eller Singapore, vilket kommer som en följd av att en enskild EUV-litografiscanner av High NA-typ från ASML kan förbruka så mycket som 1 400 kilowatt.
Problematiken är känd sedan tidigare, och grundar sig framförallt i den nya litografitekniken EUV (extreme ultraviolet), som är betydligt mer energikrävande än föregångaren DUV (deep ultraviolet). Semi14 har tidigare kåserat i hur Intels numera uppskjutna anläggning i tyska Magdeburg väntats dra mer ström än resten av staden med sina 250 000 invånare.
Techinsights noterar dock att litografiutrustning, trots att det är den mest energiintensiva delen av kakan i modern halvledartillverkning, endast utgör 11 procent av den totala energiförbrukningen i en fab. Annan processutrustning för halvledare såväl som avancerade VVS-system utgör fortsatt större delen av det totala koldioxidavtrycket för en modern anläggning.
Även om 54 000 gigawatt är en mastodontisk energiförbrukning jämförbar med hela länder kan den också ses i ett annat ljus. Kalkyler från Tom’s Hardware noterar att det i runda slängar är fem gånger energiförbrukningen av samtliga av Metas datacenter 2023 – men ”endast” 0,21 procent av av världens totala energikonsumtion 2021.
Klart står att energiförbrukning av moderna halvledare är en utmaning som bör lösas. Huruvida Canon lyckas sänka klimatavtrycket och energinotan med sin NIL-teknik (Nanoimprint Lithography) eller om rentav svenska AlixLabs lyckas göra verklighet av sin vision att positionera energisnål etsning som ett alternativ till EUV-litografi återstår att se.
