HemNyheterHalvledareAlixlabs etsar transistorfenor – går mot testproduktion på 300 mm-wafers

Alixlabs etsar transistorfenor – går mot testproduktion på 300 mm-wafers

En struktur på 40 nanometer blir två på 10 och lägger grunden för kostnadseffektiv tillverkning av framtidens transistorer.

Alixlabs, ett bolag baserat i Lund tillika finalist i Ny Tekniks 2022 års upplaga av 33-listan, har presenterat ännu ett framsteg med sin teknik Atomic Layer Pitch Splitting (APS) – möjligheten att klyva en bulkkiselstruktur om 40 nanometer i två delar. Kvar blir två parallella fenor som dessutom etsats med hjälp av klorgas och argon, vilket minskar antalet energikrävande litografiska steg.

Alixlabs APS-demonstration i genomskärning. Bild: Alixlabs

Previously we have verified the process for nanowires for such different materials as gallium phosphide (GaP) and Silicon (Si), and now we have the evidence also for bulk silicon, by creating features with sizes below 10 nm.

– Dimitry Suyatin, CTO och medgrundare, Alixlabs

Bolaget har sedan tidigare demonstrerat och validerat processen för användning i galliumfosfid och rent kisel – men når nu framsteg även i vanligt bulkkisel, där strukturerna som framställts begåvats med mer eller mindre vertikala väggar. I korthet hjälper processen till att skala bort en litografisk exponering i fall där receptet normalt kräver två steg, oavsett om det gäller traditionell eller EUV-litografi. Detta utgör sedan grunden för fenan i en FinFET-transistor.

Till Elektroniktidningen sade Jonas Sundqvist, medgrundare och VD vid Alixlabs, under 2021 att bolagets mål är att kommersialisera sin teknik för användning vid tillverkning på 2 nanometer. Passande nog är TSMC:s N2 också en helt ny teknik som klipper släktbanden till FinFET-baserade N3 för att istället gå över transistorer av typen gate-all-around (GAAFET).

Transistorns evolution: GAAFET/Nanosheet är nästa steg. Bild: Samsung

Där TSMC internt kallar den kommande transistortypen nanosheet har Samsung med sin 3-nanometersprocess 3GAE redan tagit klivet till GAAFET. Även här bör Alixlabs process ha goda förutsättningar att skapa strukturen för transistorgrinden. Nämnvärt är också att kanalerna i grinden framställs genom etsning, snarare än via litografiska processer.

We will continue the introduction of this breakthrough technology into wafer-scale semiconductor manufacturing and have already started the process transfer to a 300 mm Pilot-fab.

– Jonas Sundqvist, VD och medgrundare Alixlabs

Jonas Sundqvist har tidigare uttryckt hopp om att finna sin teknik i kommersialiserad tillverkning med start på 2 nanometer. Nästa anhalt är att bevisa processens gångbarhet på 300 millimeter stora kiselplattor, wafers. Hur det går lär Semi14 ha anledning att återkomma till.

Källa Alixlabs
Jonas Klar
Ansvarig utgivare och medgrundare av Semi14. Började skruva med elektronik 20 år sedan och inledde skribentkarriären med att skriva om datorkomponenter år 2005. Har på senare år intresserat sig allt mer för affärerna och forskningen i halvledarbranschen.
Relaterade artiklar

Läs också