Den specialiserade minnestypen FeRAM (ferroelektriskt RAM) kan komma att tillverkas i Tyskland av Ferroelectric Memory Company (FMC) tillsammans med Neumonda, rapporterar Tom’s Hardware. De båda tyska bolagen uppges enligt ett pressmeddelande samarbeta för att design och produktion av DRAM ska återbördas till Tyskland – vars sista minnestillverkare Qimonda gick omkull år 2009 i efterdyningarna av den gångens finanskris.
Att kunna göra stora minneskretsar av DRAM-typ icke-flyktigt, alltså se till att minnet inte förlorar sin data när strömmen slås av, är något av en våt dröm för högprestandaapplikationer. För att uppnå detta ämnar bolagsduon dra nytta av FMC:s expertis inom hafniumoxid (HfO2) kombinerat med Neumondas patent inom design och test ning av DRAM, där det senare bolaget tillgängliggör sina testplattformar.
FMC was founded to exploit the disruptive invention of the ferroelectric effect of HfO2 for semiconductor memories. Applied to a DRAM, it turns the DRAM capacitor into a low power, nonvolatile storage device while maintaining the high DRAM performance to produce a disruptive nonvolatile DRAM memory ideal for AI compute.
– Thomas Rückes, CEO, FMC
Föga förvånande nämns AI bland applikationerna för produktens målgrupp av FMC:s VD Thomas Rückes, medan bolagens pressmeddelande också nämner applikationer så vitt skilda som sjukvård, fordonsbranschen och konsumentelektronik. Faktum är att DRAM+ praktiskt taget kan ta plats överallt där traditionellt DRAM används – FeRAM-teknikens högre pris och lägre kapacitet är nackdelarna.
FeRAM har under en längre tid setts som en minnesteknik för framtiden och har varit föremål för forskning sedan 1952, med handgriplig utveckling sedan sent 1980-tal. Sentida lösningar har byggt på PZT (bly-zirkonat-titanat) och har varit svåra att skala ned till fysiskt mindre tillverkningsprocesser under 130 nanometer. Till följd av detta menar Tom’s Hardware att PZT-baserat FeRAM varit begränsat till kretsar om uppemot 64 megabit (Mbit) – vilket hindrat någon större marknadsspridning.
Med hafniumoxid blir situationen för FeRAM däremot en annan. Materialet kan skalas med traditionella CMOS-processer för kretstillverkning, vilket innebär att kretsar tillverkade på 10 nanometer och mindre kan bli verklighet. Det i sin tur möjliggör betydligt tätare packade minnesceller, sannolikt med kretsar i intervallet 1–8 gigabit (Gbit), vilket skulle positionera minnestypen som ett DRAM-alternativ i specialiserade applikationer.
Antydningar om när de två tyska bolagens produkter når marknaden delas inte i nuläget. Med tanke på att duon står utan faciliteter att kommersiellt producera kretsarna i och att FeRAM under en lång period varit i startgroparna i ett experimentellt stadium lär vi få anta att det hela fortsatt är minst några år bort. Sannolikt passar bolagen på att lägga grunden inför nästa omgång av EU:s Chips Act – under vilken europeisk minnesproduktion sannolikt skulle välkomnas.
