Att världens största chiptillverkare, TSMC, minskat expansionstakten gällande kommande faciliteter rapporterade Semi14 om tidigare i veckan. Uppgifterna som framkom då antydde att det var främst bolagets nybygge i Arizona som drog ut på tiden, där kretsar planeras tillverkas på 3 nanometer (N3). Nu menar analysfirman Trendforce att även TSMC:s satsningar på 2025 års 2 nanometer (N2) kan komma att flyta över till år 2026.
Enligt Trendforce har nämligen byggnationstakten av TSMC:s Fab 20 saktat in till följd av vad ASML:s VD Peter Wennink kallat ”kortsiktiga” utmaningar. Anledningen är paradoxalt nog åtminstone delvis TSMC:s satsningar i Arizona, som krävt taiwanesiska ingenjörer på plats för att bidra med expertis för att skapa förutsättningar för effektiv amerikansk produktion. Följden är att sagda ingenjörer enligt ursprunglig plan inte kunnat bidra till färdigställandet av Fab 20.
TSMC Fab 20 är tänkt att bli en expansion av bolagets nuvarande fabrikskluster i taiwanesiska Hsinchu Science Park. Den ursprungliga planen uppges ha varit riskproduktion under 2024 års andra hälft, följt av massproduktion år 2025 – en tidsplan som nu kan spricka till följd av låg efterfrågan på avancerade kretsar.
Trots att Hsinchu Science Park är hem till TSMC:s mest avancerade tillverkning och väntades bli först med N2-produktion planeras ytterligare produktionsfaciliteter. Nämnvärt är att bolagets fab i sydtaiwanesiska Kaohsiung väntades inredas med utrustning blott en månad efter Fab 20. Huruvida de nya uppgifterna innebär att Kaohsiung hinner först med 2 nanometer, eller om båda lider förseningar, återstår att se.
Taichung kan bli hem till 1,4 och 1 nanometer
TSMC lider dock inte brist på expansionsplaner – förutom de två kommande fabrikerna för tillverkning på 2 nanometer inleds byggnationen av nya faciliteter i centraltaiwanesiska Taichung. Vad som kommer produceras i de nya fabrikerna har ännu inte kommunicerats, men rapporter från Taiwan gör gällande att Taichung-fabrikerna kan bli TSMC:s första med tillverkning i 1,4- samt 1-nanometersklasserna.
Sedan tidigare står klart att TSMC är sist på nanosheet-bollen av de tre stora kontraktstillverkarna, där Samsung redan ifjol introducerade tekniken de kallar GAAFET. Samsung får enligt nuvarande färdplan sällskap av Intel och dess process 20A (A för Ångström), där Intel kallar den nya transistortypen ett tredje namn – RibbonFET.
