Världens största kretstillverkare, taiwanesiska TSMC, har lättat på skynket gällande bolagets produktplaner till och med år 2026. Under bolagets Technology Symposium i Amsterdam tidigare i veckan meddelade bolaget bland annat att tillverkning på en finslipad 3-nanometersprocess, N3E, når massproduktion under 2023 års avslutande hälft. Denna följs upp av N3P och N3X, för högpresterande respektive HPC-applikationer.
Likt tidigare väntar sig TSMC ta klivet till transistorer av nanosheet-typ, GAAFET eller RibbonFET på Samsung- respektive Intel-språk, år 2025 med processen N2. Vad som tidigare inte kommunicerats kring bolagets 2-nanometersprocess är när förbättrade uppföljare erbjuds och i vilken form – men både N2P och N2X för prestanda- och datacenterapplikationer ser nu ut att vara planerade för år 2026.
Enligt Electronics Weekly kommer N2 erbjuda ett sällsynt stort kliv i både prestanda såväl som verkningsgrad. En testkrets baserad på en ARM A715-kärna vid 0,9 volt uppges ha uppnått en 30-procentig ökning i klockfrekvens vid samma effektförbrukning, alternativt en 33-procentig minskning i strömförbrukning vid samma klockfrekvens ställt mot samma krets tillverkad på energieffektiva N3E.
Värt att notera är också att bolaget inte väntar sig att dess tillverkning på 3 nanometer är att kalla mainstream förrän år 2026, efter en trög start. Istället väntas merparten av avancerad kretstillverkning istället ske på processen N4P, den högpresterande vidareutvecklingen av 2020 års N5. Familjen N5 kommer också inkludera produkten N5A, specialutvecklad för att erbjuda fordonsbranschen ”beräkningskraft i superdatorklass”.
Early adopters inom fordonsbranschen kommer tidigt år 2025 eller möjligen redan 2024, erbjudas kretsar byggda på N3AE, där suffixet står för ”Auto Early”. Dessa är tidiga kretsar för automotive som sent under 2025 följs upp med slutgiltiga N3A, med siktet inställt på världsherravälde inom avancerade fordonsapplikationer på bred skala.
TSMC noterar även enligt Electronics Weekly att Backside Power Delivery (BSPD), Powervia på Intel-språk, gör sig bäst i datacenter-applikationer. Den taiwanesiska tillverkningsjätten väntar sig kunna erbjuda BSPD till kunder sent år 2025, medan Intel väntar sig kunna kommersialisera tekniken redan med 2024 års 20A, 2 nanometer. TSMC väntar sig att BSPD kan höja prestanda med 10–12 procent, tack vare lägre resistans och bättre signalhantering, medan logikarean på framsidan kan minskas med 10–15 procent.
