Sommaren 2022 blev Samsung först ut med att introducera en 3-nanometersteknik, med vilken bolaget även blev först med transistorer av typen Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET). Tekniken kan dock ha ansetts varit långt ifrån produktionsklar då uppgifter talade om bedrövlig yield på låga 10–20 procent – långt under ekonomiskt försvarbart.
The Korea Economic Daily rapporterar, med hänvisning till en högt uppsatt chef på Samsung, att yield för 3-nanometerstekniken (3GAE) förbättrats betydligt. Enligt uppgiftslämnaren ska tillverkningstekniken nått en ”perfekt nivå” vid produktion, men vad detta innebär framgår inte. Nyheterna kommer kort efter uppgifter att Samsung vänt sig till maskspecialisten S&S Tech för att förbättra sin yield.
Oavsett sanningshalt om kraftigt förbättrad yield får uppgifterna anses överdrivna, då det är praktiskt taget omöjligt att tillverka kretsar utan defekter. Vidare är det alltid en sanning med modifikation att tala om yield i absoluta tal, då saker som storlek på kretsen, chipdesignen, prestandamål och mycket mer därtill avgör.
Det relevanta värdet som inte framgår och allt som oftast är en affärshemlighet är defektdensitet per kvadratcentimeter på en hel kiselplatta (eng. wafer). Det går att åstadkomma fina procenttal om referenspunkten är en liten icke-prestandakritisk krets och vice-versa för en större avsedd exempelvis High-Performance Computer (HPC), vilka i regel är både stora och har högt ställda prestandamål gällande spänning i relation till klockfrekvens.
Förutom att den sydkoreanska tidningen talar om det inhemska bolaget i positiva termer görs inte detsamma om taiwanesiska TSMC. När TSMC gick in i produktion på sin 3-nanometersteknik talades det om att den hade en yield på uppemot 85 procent, en siffra som sydkoreanska industrikällor kallar ”överdrivna”. Som argument pekar de på att TSMC väntas leverera 3-nanometerskretsar först senare under året till Apples nästa generations Iphone-telefoner, där en förhållandevis liten systemkrets (SoC) nyttjas. Med hänvisning till detta menar industrikännarna att TSMC:s yield vid produktion i själva verket ligger runt 50 procent.
Semi14 har tidigare rapporterat att flera stora aktörer som annars är snabba att anamma nya spjutspetstekniker avvaktar, och att Apple kan bli ensam kund på TSMC:s 3 nanometer under 2023. Detta tillskrivs att priset per transistor med 3 nanometer inte självklart är lägre jämfört med 5 nanometer och att det fabless-kunder får betala för är prestanda per transistor. Medan detta är fallet för TSMC råder större oklarheter med Samsungs dito, till vilken uppgifter om priser är få att tillgå.
En bredare övergång till TSMC:s senaste teknik väntas först under 2024 och enligt en tidigare rapport från The Korea Economic Daily gäller detsamma Samsung, vars 3 nanometer uppges ha lockat till sig Nvidia, Qualcomm, IBM och Baidu. Vidare uppges fem till sex kunder lansera kretsar på Samsungs 3-nanometersteknik under 2024, vilket händelsevis är samma år som bolaget lanserar sin andra generations 3 nanometer (3GAP).
Klart står att två olika narrativ från tidningar i konkurrerande stormakter inom halvledare står mot varandra, den ena mer högljudd än den andra. Medan ovan levereras från sydkoreanskt håll och går till attack mot en rival håller det taiwanesiska huvudet kallt och blickar inåt mot en ceremoni av en ny spjutspetsteknik, som från dag ett uppges vara i bättre skick än tidigare generationsskiften.
