Den sydkoreanska elektronikjätten Samsung är i full färd med byggnationen av en ny anläggning i Taylor, Texas, som på sikt väntas bli bolagets andra kluster i USA jämte delstatens huvudstad Austin. Fabrikens uttalade syfte är tillverkning om 5 och 4 nanometer för att möta landets inhemska efterfrågan på halvledare för 5G, artificiell intelligens (AI) och High-Performance Computing (HPC).
Nu rapporteras att Samsung utökar sin satsning i Taylor från en till två fabriker, samtidigt som de flyttar fram positionerna i USA tillverkningstekniskt. Bolagets satsning i Taylor beräknades initialt kosta 17 miljarder USD, men med byggnationen av ytterligare en fabrik stiger detta till totalt 25 miljarder USD. Uppgifterna har inte bekräftats av Samsung själva, men en tjänsteman i Taylors lokalregering bekräftar en ”utökning” som i nuläget kallas Samsung Fabrication Plant 2.
Samtidigt talar uppgifter till ZDNet Korea om att Samsung lagt om sina investeringar i utrustningsinköp för att möjliggöra mer avancerad produktion. Bolaget ska internt diskutera huruvida de ska stå över 5/4 nanometer och istället direkt inleda produktion på 3 nanometer, en möjlig förändring som tillskrivs att Taylor-projektets produktionsstart försenats från 2024 till 2025.
En mer nyanserad bild läggs även fram om Samsungs tillverkningstekniska skifte i Taylor. Bolaget ska ha kommunicerat till sina leverantörer att de vill lägga om sina ordrar till litografiska verktyg för 3 nanometer och att fabriken som planerat initialt kommer tillverka kretsar på 4 nanometer, men att anläggningen officiellt går in i storskalig produktion först kort därefter med 3 nanometer.
Samsungs nya kurs handlar i klarspråk om att bibehålla bolagets konkurrenskraft mot den inhemska jätten Intel och även TSMC som är igång att etablera sig i USA. Under 2025 väntas TSMC vara igång med tillverkning om 3 nanometer i landet medan Intel å sin sida planerar producera kretsar på Intel 18A (1,8 nanometer).
