Minnestypen HBM (High Bandwidth Memory) är i ropet mer än någonsin förut, då teknikens höga bandbredd kommer till sin fulla rätt i applikationer för artificiell intelligens (AI). Sin position som marknadsledare inom minnen till trots har Samsung hamnat på efterkälken gällande just HBM-produktionen där landsmännen tillika närmsta konkurrenterna SK Hynix istället är dominanta.
Det ska det nu bli ordning på när Samsung ska gå över till produktion av HBM med produktionstekniken mass reflow molded underfill (MR-MUF) istället för non-conductive film (NCF) som bevisligen inte tjänat bolaget tillräckligt väl, rapporterar Reuters. Det hela bottnar i att branschkällor uppger att Samsung nyligen beställt MUF-verktyg, för att att öka sin yield från 10–20 procent – att ställa mot SK Hynix HBM3-produktion som når 60–70 procent.
Samsung had to do something to ramp up its HBM (production) yields […] adopting MUF technique is a little bit of swallow-your-pride type thing for Samsung, because it ended up following the technique first used by SK Hynix
– Källa till Reuters
Anonyma källor uppger till Reuters att en övergång till MUF är något av ett tvång för Samsung för att uppnå vettig yield, men att det skulle innebära att bolaget samtidigt också skulle behöva svälja sin stolthet och anamma SK Hynix produktionssätt. Påståendet får direkt mothugg från Samsung själva, som låter meddela att NCF är en ”optimal lösning” för HBM och att det dessutom kommer fortsätta användas med kommande HBM3E.
Förutom att förneka att MR-MUF kommer användas av Samsung för HBM-produktion låter bolaget också hälsa att yield-estimaten om 10–20 procent är osanna, och att de har en ”stabil yield” – utan att nämna närmare siffror. Att Samsung mot sitt nekande sannolikt kommer göra vad de kan för att komma ikapp SK Hynix inom HBM står däremot klart – det sistnämnda bolaget väntas leverera mer än 80 procent av Nvidias ordrar av minnestypen i år. Den totala marknaden för HBM väntas år 2024 uppgå till närmare 9 miljarder dollar, enligt analysfirman Trendforce.
Kort sammanfattat och förenklat fixerar MR-MUF varje nytt lager i en HBM-stack med hjälp av epoxy, istället för att stapla ytterligare lager med en film emellan. Med hjälp av fluss och microbumps fixeras varje lager till det föregående innan ett slutligt reflow-steg permanent bakar ihop samtliga lager och kapslar in dem samt fyller ut hålrummen med än mer epoxy. Enligt SK Hynix tillåter processen 40 procent tunnare kretsar, 36 procent högre värmeavledning samt tre gånger högre produktionstakt.
