HemNyheterAffärerRenesas stärker wide bandgap-portfölj med förvärv av Transphorm

Renesas stärker wide bandgap-portfölj med förvärv av Transphorm

Med förvärvet får Renesas tillgång till en produktionslina för galliumnitrid (GaN) och kompletterar erbjudandet inom kraftelektronik.

Ökad efterfrågan på elektronik för den gröna omställningen har gett wide bandgap-material och kraftelektronik ett uppsving. En av många aktörer som växlat upp investeringarna i tekniken är japanska Renesas Electronics, som i syfte att stärka sitt erbjudande på det växande segmentet förvärvar amerikanska Transphorm för 339 miljoner USD.

Transphorm beskrivs som en ledande aktör inom galliumnitrid (GaN) och att Renesas genom affären breddar sitt sortiment inom kraftelektronik, där bolaget hittills saknar GaN i portföljen. Konkreta exempel som lyfts fram där förvärvet kommer bolaget och dess klienter till dels är elfordon, datacenter inom exempelvis AI och infrastruktur, förnybar energi och kraftomvandling inom industrisektorn.

En intressant observation är att Renesas nämner snabbladdning för specifikt nätadaptrar och laddare, som på kort tid blivit en populär kategori på konsumentsidan där dessa produkter rentutav marknadsförs med den tekniska akronymen. Genom att använda GaN-material sjunker värmeutvecklingen drastiskt, vilket gjort det möjligt att ta fram laddare för bland annat telefoner och bärbara datorer som är betydligt mindre och lättare än tidigare.

Transphorm is a company uniquely led by a seasoned team rooted in GaN power and with origins from the University of California at Santa Barbara. The addition of Transphorm’s GaN technology builds on our momentum in IGBT and SiC. It will fuel and expand our power portfolio as a key pillar of growth, offering our customers the full ability to choose their optimal power solutions.

– Hidetoshi Shibata, VD på Renesas

Själva talar Renesas om att de sedan tidigare erbjuder två slag av kraftelektronik i form av wide bandgap-materialet kiselkarbid (SiC) och den betydligt äldre tekniken Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT), som kombinerar egenskaperna hos MOSFET- och bipolära transistorer. Mycket förenklat placerar sig GaN mellan dessa två gällande egenskaper och prissättning, där IGBT med anor från 1980-talet är den klart billigaste tekniken.

Transphorms styrelse har enhälligt godkänt affären och kommer rekommendera aktieägarna att göra detsamma. Förutsatt att affären godkänns av konkurrensmyndigheter väntas den gå i lås under 2024 års andra hälft.

KällaRenesas
Jacob Hugosson
Jacob Hugosson
Chefredaktör och medgrundare av Semi14. Datornörd som med åren utvecklat en fallenhet för halvledarbranschen. Har under 13 år skrivit för tidningar i print och online, hos vilka han verkat som alltifrån chefredaktör till community manager.
Relaterade artiklar
Annons

Läs också