Nvidias egna variant av High-Bandwidth Memory (HBM), NVHBM, kommer oavsett leverantör behöva bygga på en base die på TSMC:s 3-nanometersprocess, rapporterar Reuters. NVHBM, kort för Nvidia High Bandwidth Memory, presenterades under augusti månad och är en kommande custom-variant av HBM4E, där Nvidia hävdar att bandbredden är upp till 30 procent höge och har upp till 15 procent lägre energiförbrukning ställt mot standardlösningar av HBM4E-typ.
Kort sammanfattat tvingas minnestillverkarna SK Hynix, Samsung och Micron att köpa base dies från TSMC för att kunna leverera NVHBM-staplar till Nvidia. Den tekniska anledningen är att NVHBM flyttar ut minneskontrollern från AI-acceleratorns kärna till sagda base die, vilket frigör utrymme för mer logik – samtidigt som en standardiserad högpresterande base die från TSMC ger Nvidia förutsägbar prestanda för åtminstone minneskontrollern.
| Samsung | SK Hynix | Micron | Nvidia NVHBM | |
| Base die-tillverkare | Samsung Foundry | TSMC | In-house/TSMC | TSMC |
| Process (HBM4) | 4 nm | 12 nm | Okänd | – |
| Process (HBM4E) | 4 nm | 3 nm | TSMC | 3 nm |
Sedan tidigare har SK Hynix samarbetat med TSMC gällande just base dies till HBM4 och siktar på att gå över till 3 nanometer för HBM4E. Samsung å sin sida har satsat på branschens mest avancerade base dies för HBM4 på sin egen 4-nanometersprocess, vilken kommer vara aktuell även när HBM4E går in i volymproduktion år 2027. Micron å sin sida har ännu valt att inte bygga dedikerad logik för HBM4, utan har istället att fortsätta förlita sig på interna tillverkningsprocesser från bolaget – men väntas gå över till en ännu icke-namngiven TSMC-base die med HBM4E.
Trots att Nvidia stipulerar en base die från TSMC uppger Reuters att Samsung är intresserat av att integrera sina HBM4E-kretsar på logik från sin taiwanesiska konkurrent på foundry-sidan. Vid sidan av den officiellt sanktionerade NVHBM-lösningen uppges Samsung även undersöka om bolaget har möjlighet att producera sina egna base dies för NVHBM om efterfrågan överskrider TSMC:s kapacitet. Här uppger Trendforce att Samsung har som ambition att tillverka base dies dedikerade NVHBM på sin 2-nanometersprocess.
För SK Hynix och Micron blir omstöpningen av HBM4E-staplar till NVHBM sannolikt en betydligt smalare sak, då båda redan har lagt sina ägg i TSMC-korgen. SK Hynix har seglat upp som en utmanare på DRAM-marknaden till den tidigare ohotade marknadsledaren Samsung räknat i omsättning tack vare sina tidiga satsningar på minne av HBM-typ. Sedan AI-boomens början har SK Hynix varit Nvidias utan tvekan största leverantör av minne för AI-acceleratorer, där rapporter från tidigare i år gjorde gällande att SK Hynix kan leverera uppemot 70 procent av Nvidias HBM4-efterfrågan i år.
Volymproduktion av HBM4E väntas inledas under 2027, medan NVHBM väntas följa någon gång tidigast under 2028.
