Minnestypen High-Bandwidth Memory (HBM) är nästa tillväxtområde för Micron, Samsung och SK Hynix, där den senare som länge investerat i tekniken blivit den ledande aktören. Ett skäl till att Samsung inte rönt samma framgångar tros bero på dess val av tillverkningsflöde, vilket ska ha lett till att dess HBM-kretsar har sämre yield med hög strömförbrukning och värmeutveckling som följd.
De många ryktena får nu vatten på sin kvarn när Reuters rapporterar att Samsungs HBM3E-minne ratas av Nvidia, detta enligt tre uppgiftslämnare med kännedom i ärendet. Anledningen är just att Samsung inte lever upp till Nvidias krav, där egenskaperna från dess nuvarande HBM-leverantör SK Hynix satt en hög ribba.
I en kommentar till Reuters avfärdar Samsung uppgifterna och menar att påståenden om att deras HBM-minne har problem med strömförbrukning och värmeutveckling inte är sanna. Istället gör bolaget gällande att det är en lång process att optimera produkten i nära samarbete med kunden och att testet ”fortlöpte smidigt och som planerat”.
Uppgifter från tidigare i år talar om att Samsungs HBM3 och HBM3E hade en yield om blott 10–20 procent medan SK Hynix HBM-produktion nådde betydligt högre 60–70 procent. Ett av skälen till detta ska vara Samsungs val av tillverkningsteknik med non-conductive film (NCF), med vilken ett lager film används för att fixera varje minneskrets vid den stapling som ger HBM sina fördelar gentemot traditionellt DRAM. Detta ska ha fått bolaget att vända sig till den alternativa tekniken mass reflow molded underfill (MR-MUF), som varit SK Hynix val av produktionsteknik för HBM.
Med MR-MUF används istället epoxy, vilket enligt SK Hynix möjliggör användningen av 40 procent tunnare minneskretsar, förbättrar värmeavledningen med 36 procent och ökar produktionstakten tre gånger om. Samsung å sin sida avvisar dock att de valt att omfamna MR-MUF och gör gällande att NCF är en ”optimal lösning” som de fortsatt kommer använda för sina HBM-lösningar.
Med detta sagt är vad som anses vara för hög strömförbrukning och värmeutveckling relativt. Samsung har andra kunder som anser att dess HBM3- och HBM3E-minnen är tillräckligt bra, där en av de större är AMD som uppges ha lagt en stororder om tre miljarder USD hos Samsung för användning med sina AI-kretsar.
