Samsung uppges förbereda prishöjningar på minnesprodukter under 2025 års avslutande kvartal med 15–30 procent, enligt Trendforce. Uppgifterna kommer efter att amerikanska Micron aviserat prishöjningar i spannet 20–30 procent på minnestyperna DDR4 och DDR5 – där den stora skillnaden är att Samsung väntar sig att prisökningarna går bortom just minne av DDR-typ.
Även NAND-minne för lagring ökar i pris hos Samsung kan tillskrivas ökad efterfrågan för lagring av data som skapas av AI. På grund av detta väntas NAND-kretsar från Samsung av typerna eMMC och UFS öka med 5–10 procent under årets fjärde kvartal. En bidragande faktor är att bolag likt Google och Oracle för tillfället storsatsar på AI-infrastruktur med fokus på inferens, snarare än upplärning, training, av AI-modeller – där resultatet är att mekaniska hårddiskar med hög kapacitet numera har ett års ledtid och behöver ersättas av NAND-baserade SSD-lösningar snarast möjligt.
Prishöjningar på DRAM-marknaden kan även de tillskrivas AI-marknaden, men på ett annorlunda sätt. Här har de ledande minnestillverkarna stöpt om sina produktionslinor för att producera avancerade och mer lukrativa minnen av HBM-typ – något som lett till att SK Hynix kan härleda drygt en fjärdedel av sin omsättning till enbart Nvidia. Situationen på DRAM-marknaden handlar med andra ord om att tillverkare växlar DDR4- och DDR5-kapacitet mot produktion av HBM-kretsar för att öka enhetspriser och marginaler.
Samsung äntligen i hamn med HBM3E om 12 lager(?)
Att SK Hynix täljt guld med HBM3E tack vare sin position som kvalificerad leverantör till Nvidia har strött salt i såren på Samsung, som så sent som i somras lyckades komma till skott med sina 12-lagers HBM3E-staplar. Där och då handlade det däremot endast om kvalifikation för bruk i produkter utvecklade av AMD och Broadcom, men nu uppger Business Korea att Samsungs produkter äntligen kvalificerats för bruk i Nvidias AI-acceleratorer efter att ha designats om för lägre värmeutveckling.
Enligt Aju News (koreanska) kan rapporterna om Samsungs framgångar som så många gånger de senaste åren däremot vara överdrivna. Tidskriftens rapporter gör istället gällande att Samsung genomfört en andra omgång wafer acceptance tests, där slutliga resultat väntas de kommande dagarna – och att drömmen att kunna tjäna pengar på HBM3E innan HBM4 tar vid under år 2026 lever vidare för bolaget.
En sammanfattning av Trendforce visar hur långt efter Samsung ligger tidsmässigt efter både landsmännen SK Hynix såväl som Micron i kampen om marknadsherravälde för HBM. Värt att notera är däremot att Samsung sin vana trogen siktar på ett stort teknikkliv med ”1c”-kretsar till sina HBM4-staplar – vilka åtminstone delvis väntas bygga på FinFET-transistorer om 4 nanometer.
Det hela innebär att Samsung åtminstone i teorin väntas ha förutsättningarna att ta ett prestandakliv förbi både Micron och SK Hynix, som även med HBM4 väntas bli kvar på ”1b”, femte generationens 10-nanometersprocess för minnen. I sammanhanget värt att nämna är att Samsungs HBM3E-kretsar bygger på ”1a”, fjärde generationens 10 nanometer – vilket innebär att de förutom att kvala in sent hos storkunder också rent prestandamässigt lider av sämre tekniska förutsättningar att prestera väl jämte konkurrenternas HBM-kretsar.
