Bland halvledarvärldens förlorare år 2023 är de hårdast drabbade bolagen minnestillverkarna. Nu rapporterar analysfirman Trendforce att minnespriserna kommer falla även under årets tredje kvartal, där försäljningspriset på NAND väntas sjunka med 3–8 procent medan prisfallet på DRAM i bästa fall står sig oförändrad med ett prognosticerat fall om 0–5 procent.
Likt tidigare under året brottas minnestillverkarna fortsatt med överlager, trots minskad produktion. Inte ens rekordhög efterfrågan på DRAM av typen HBM väntas hjälpa marknaden – istället väntas LPDDR5X med HKMG, High-K Metal Gate, för mobilt bruk bli den enda DRAM-typen som ökar i pris under kvartalet. Resterande DRAM-typers priser väntas generellt falla med tidigare nämnda 0–5 procent, medan DDR4 faller snabbare än andra typer med 3–8 procent.
Prisfallen är dock betydligt mildare än under kvartalet som avslutades med juni, där Trendforce noterar prisfall i häraden 15 procent. Hårdast drabbat även under föregående kvartal var minnestypen DDR4, vilket kan förklaras med att DRAM-typen är världens mest använda samt konkurrensutsatta – båda parametrar som lett till stora överlager när botten gått ur marknaden.
NAND: En ännu tuffare marknad än DRAM
Ser vi istället till marknaden för NAND, minnestypen som brukas för lagring, ser ljusningen ut att vara ännu längre bort. Redan nu uppger Trendforce att leverantörer av SSD-enheter i enterprise-klass säljer produkter till förlust, men att prisfallet för det tredje kvartalet kan komma att nå ytterligare 10 procent från dagens nivåer. Enterprise-segmentet tar också med sig konsumentlagring samt mobil lagring i form av eMMC och UFS i det fortsatta fallet.
Där färdiga produkter väntas sjunka mellan 5 och 13 procent skymtas dock en ljusning i lagringsminnets tillverkningsled. Försäljningspriserna för kiselskivor, wafers, av de vanligaste NAND-typerna TLC och QLC (Triple-Layer respektive Quad-Layer Cell) väntas stiga, vilket mot i takt med att överlagrena säljs ut väntas få resultatet att marknaden vänder mot stabilare priser.
