Den amerikanska minnestillverkaren Micron uppges stå inför massproduktion av HBM3E med 12 kretsar höga staplar (12-Hi) – minne som dessutom kvalificerats av självaste Nvidia. Nvidia är som bekant marknadsledare inom beräkningskretsar för AI och har hittills uteslutande förlitat sig på HBM från sydkoreanska SK Hynix, som under september 2024 inledde storskalig produktion av 12-lagers HBM3E, medan den tredje aktören Samsung haltar efter.
Enligt Business Korea menar Micron att bolagets nya HBM3E med 12 lager förbrukar 20 procent mindre energi och föga förvånande har 50 procent högre kapacitet än HBM3E med 8 lager (8-Hi). Vidare förutspår bolagets CFO Mark Murphy att majoriteten av HBM3E som tillverkas under 2024 års avslutande hälft kommer levereras i staplar om 12, snarare än 8.
Medan SK Hynix inom kort får konkurrens av Micron väntas världens största minnesleverantör Samsung leverera kvalifikationsexemplar av HBM3E med 12 lager till Nvidia senare under februari. Samsung har likt SK Hynix 12-lagers HBM3E i produktion sedan 2024 års tredje kvartal, med skillnaden att de inte accepterats av Nvidia. De nya kretsarna har trots detta redan gjort avtryck i bolagets balansräkning i väntan på lanseringen av HBM4 senare under 2025 – en minnestyp Micron väntas introducera år 2026.
Nvidias SOCAMM – LPDDR5X i CAMM-format
Vidare noterar taiwanesiska analysföretaget Trendforce att Nvidia är i full färd med att skapa proprietära minnesmoduler tillsammans med de två koreanska minnesbolagen Samsung och SK Hynix. Det rör sig om något som kallas SOCAMM (System On Chip Advanced Memory Module) är tänkt att användas i Nvidias Project Digits, en personlig ”AI-superdator för ditt skrivbord” som bygger på beräkningskretsen GB10 och 128 GB LPDDR5X.
SOCAMM-modulerna är tänkta att vara fyra stycken till antalet i Project Digits, vilket praktiskt taget innebär att modulerna blir LPDDR5X-baserade konkurrenter till den senaste DDR-formfaktorn CAMM. Den stora skillnaden mellan Nvidias SOCAMM och standardiseringsorganet JEDEC:s CAMM är användningen av LPDDR5X-minne hos den förstnämnda – något som tack vare fler anslutningspinnar ska leda till högre bandbredd ställt mot CAMM och traditionellt DDR5.
Project Digits väntas i sitt första utförande använda traditionellt integrerat LPDDR5X, alltså BGA-kretsar fastlödda direkt på ett moderkort utan möjlighet till uppgradering eller byte. Planen är att efter massproduktionsstart av SOCAMM, möjligen i slutet av 2025, att växla över till den uppgraderingsbara minnestypen.
