Minnestillverkaren Changxin Memory Technologies (CXMT) är Kinas hopp om att självförsörjning inom primärminne (DRAM), ett område landet länge varit svaga inom. Den senaste tiden har det rapporterats om att CXMT kommersialiserat avancerade DDR5-kretsar och därtill är på god väg mot produktion av HBM, som bland annat krävs för högpresterande AI-beräkningskretsar.
Nu rapporterar Digitimes om betydande landvinningar för CXMT, som under 2025 uppges öka sin produktionstakt ”dramatiskt” och betydligt mer än bedömare tidigare trott. Om bolagets nuvarande upptakt håller kan CXMT rentav komma att utmana den så kallade minneskartellen eller ”Big Three”, bestående av Samsung, SK Hynix och Micron som de senaste 15 åren tillsammans samlat runt 95 procent av DRAM-marknaden.
De sydkoreanska publikationerna G-enews och ChosunBiz, med hänvisning till analysfirman Omdia, skriver att DRAM-produktionen hos CXMT under året kan uppgå till 2,73 miljoner wafer starts per month (WSPM), vilket vore en 68-procent ökning mot 2024 års total 1,67 miljoner WSPM. Noteras görs också att tidigare prognoser för året talat om en betydligt lägre 20-procentig tillväxttakt. Om den nya beräknade ökningen blir sanning skulle CXMT:s kapacitet till slutet av 2025 nästan motsvara Microns och nå upp till 50 procent av SK Hynix nivåer.
Redan idag är CXMT en kraft att räkna med inom den utgående men än aktuella minnesstandarden DDR4, inom vilket de 2024 skapade ett överutbud med pressade priser för att ta marknadsandelar. Rapporten konstaterar att CXMT:s på ett fåtal år gått från ingenting till någonting ska tillskrivas stora statliga subventioner, som strategiskt riktats mot minnesindustrin. Inom denna strategi finns väletablerade Yangtze Memory Technologies (YMTC), som tillverkar lagringsminne av NAND-typ och under 2025 på årsbasis siktar på att fördubbla sin produktionskapacitet.
I dagsläget är CXMT redan en stor aktör inom DDR4-minne, men började i slutet av 2024 även att tillverka DDR5 för den senaste generationens datorplattformar. Hur det går med den här typen av mer avancerat minne är bedömningarna diametralt olika – här talas det om att CXMT rent teknologiskt är allt mellan 1,5 till 5 år efter marknadsledarna Samsung och SK Hynix. Jämte detta råder minst sagt delade meningar om vilken yield, antalet fungerande kretsar efter produktion, som CXMT har på sina DDR5-kretsar. Här ska vissa industrikännare berättat att nivån ligger på närmare 80 procent medan andra gör gällande att den är så låg som 10–20 procent.
Oavsett hur långt CXMT kommit med sin DDR5-utveckling är bolaget på god väg med att kunna förse den inhemska marknaden med tekniken, något som hotar såväl sydkoreanska Samsung och SK Hynix som amerikanska Micron. En icke namngiven analytiker på japanska Nomura Securities menar att de etablerade minnesjättarna står inför en ny verklighet, där Kina översvämmar marknaden med billigt DRAM – ”Det handlar inte om teknisk överlägsenhet – utan volymer”.
Bortsett från traditionellt primärminne är CXMT i full gång med utvecklingen av High-Bandwidth Memory (HBM) av generationerna HBM2E och HBM3. Målet är att inom två till tre år kunna förse HBM till den inhemska teknikjätten Huawei för användning i dessa Ascend-kretsar, som för närvarande använder HBM från främst Samsung som köps in genom upplägg som rundar USA:s handelsrestriktioner.
