HemNyheterGlobalfoundries dubblerar tillverkningen i Dresden – investerar tiodubbelt i USA

Globalfoundries dubblerar tillverkningen i Dresden – investerar tiodubbelt i USA

Europa fortsätter att spela andrafiol när Globalfoundries planerar investeringar om 16 miljarder USD i USA – jämfört med 1,1 miljarder euro i Tyskland.

USA-baserade tillika Abu Dhabi-ägda Globalfoundries planerar utöka sin kapacitet väsentligt i Dresden, Tyskland, rapporterar tyska Handelsblatt. Enligt rapporten avser bolaget att under kommande år investera 1,1 miljarder euro, för att närmare dubblera bolagets europeiska kapacitet räknat i wafer starts per month (WSPM).

I Europa har Globalfoundries har idag en anläggning i Dresden, Tyskland, med en kapacitet om 800 000–850 000 WSPM och målet som satts är utöka detta till 1,5 miljoner WSPM. Förutom att bygga ut faciliteten kräver detta betydande inköp av utrustning, något bolaget redan ska vara i full gång med att upphandla.

Att för den relativt nätta summan 1,1 miljarder euro öka sin kapacitet med 700 000–750 000 WSPM låter lite, men bolaget som redan bekräftat uppgifterna räknar kallt med stöd från federalt håll. Den nytillträdda regeringen med ekonomiministeriet i spetsen har ännu inte bekräftat att de planerar gå in med ekonomiskt stöd för bolagets expansionsplaner.

Globalfoundries planerade investering är ytterligare en i raden av många i Dresden, som redan är något av ett halvledarcentrum i Europa. Infineon är redan i full gång med att skjuta till pengar i mångmiljardklassen i regionen och taiwanesiska TSMC, tillsammans med Bosch, NXP Semiconductors och även Infineon har bildat ett samriskbolag, ESMC, som ska bygga en anläggning för 12 miljarder euro i staden. För den senare är målet tillverkning om 28 nanometer, för att möta behoven hos den europeiska fordonsindustrin.

Vilken tillverkningsteknik Globalfoundries siktar på med sina expansionsplaner framgår inte, men värt att notera är att de i Dresden idag tillverkar kretsar på bolagets mest avancerade teknik, 12 nanometer. Över hela spektrumet handlar det om tillverkning av specialiserad kretsar, där de mest avancerade använder sig av silicon-on-insulator (SOI) som till skillnad från traditionellt kisel på liknande noder medger högre prestanda till lägre spänning.

Globalfoundries bildades år 2008 när AMD frångick sin modell som Integrated Device Manufacturer (IDM) och tillsammans med Mubadala Investment Company bildade Advanced Technology Investment Company (ATIC). Under årens lopp gjorde ATIC förvärv för att stärka dess globala investeringar med bland annat förvärven av Singapore-baserade Chartered Semiconductor och senare IBM:s verksamhet av mikroelektronik. Från start var målet för AMD att avyttra hela sin andel i ATIC, något de genomförde mars 2012.

Värt att tillägga är att Globalfoundries är del av den europeiska pilotlinan för SOI-tillverkning på två nya noder om 10 och 7 nanometer. Huruvida detta är en del av den planerade investeringen med stöd från tyska staten framgår inte.

Globalfoundries investerar betydligt mer i USA

Att gå från 800 000–850 000 till 1 500 000 WSPM är betydande, men bleknar jämfört mot vad det Abu Dhabi-baserade bolaget planerar i USA. Från officiellt håll planeras investeringar om hela 16 miljarder dollar i USA, där de sedan länge i delstaterna New York och Vermont har tillverkning så avancerad som 90 och 12 nanometer.

Bolaget har sedan tidigare gett upp tanken på att konkurrera med TSMC och Samsung i spjutspetsen och av allt att döma finns inga planer att ändra på den saken. Enligt pressmeddelandet ska bolaget satsa på att stärka sin närvaro inom artificiell intelligens (AI) med befintlig teknik för att tillsammans med stora kunder likt Apple, SpaceX, Qualcomm, NXP samt General Motors tillhandahålla andra delar i den lukrativa AI-kedjan. Med andra ord handlar det inte om tillverkning av beräkningskretsar, utan kringliggande komponenter.

Medan Globalfoundries inom legacy-noder har relativt komplex tillverkning i USA talar de explicit om sin produktportfölj inom befintliga tekniker i form av 22 nanometer med Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI), 22FDX, kiselfotonik och kraftelektronik av typen galliumnitrid (GaN).

KällaDigitimes
Jacob Hugosson
Jacob Hugosson
Chefredaktör och medgrundare av Semi14. Datornörd som med åren utvecklat en fallenhet för halvledarbranschen. Har sedan 2008 år skrivit för tidningar i print och online, hos vilka han verkat som alltifrån chefredaktör till community manager.
Relaterade artiklar
Annons

Nyhetsbrev

Prenumerera på vårt nyhetsbrev – våra nyheter i din inkorg cirka en gång i veckan.

Läs också