Intel har meddelat att bolaget ingått ett samarbete med svenska Ericsson för att framställa kretsar på 1,8 nanometer, eller processen Intel 18A. Affären går ut på att Intel tillverkar systemkretsar (SoC, system-on-chip) för Ericssons ”nästa generations optimerade 5G-infrastruktur”. Svenska Ericsson blir därmed en av de första stora namngivna kunderna att vända sig till Intel för tillverkning på dess framtida spjutspetstekniker.
Utöver att tillverka Ericsson-hårdvara kommer Intel också utrusta fjärde generationens Intel Xeon Scalable-processorer med vRAN Boost specifikt för Ericssons Cloud RAN (Radio Access Network). I vanlig ordning uppges fördelarna för tjänsteleverantörerna vara högre kapacitet och energieffektivitet parad med flexibilitet och skalbarhet.
Ericsson has a long history of close collaboration with Intel, and we are pleased to expand this further as we utilize Intel to manufacture our future custom 5G SoCs on their 18A process node, which is in line with Ericsson’s long-term strategy for a more resilient and sustainable supply chain.
– Fredrik Jejdling, Executive Vice President and Head of Networks, Ericsson
Ericssons Fredrik Jejdling nämner att Intels process 18A ligger i linje med bolagets strategi gällande mer robusta och hållbara leverantörskedjor – sannolikt en passning till det tidiga 2020-talets kaos med COVID och allsköns farthinder i handel med Kina. Jejdling talar även om vikten av att påskynda utrullningen av Open RAN, vilket bolaget hoppas att Intels Xeon-plattformar ska kunna bidra till, fallande marknadsandelar till trots.
Där tidiga rapporter pekade på år 2024 som startdatum för Intels process 18A menar nu de två bolagens gemensamma pressmeddelande att Intel kommer återta ledartröjan år 2025, med just Intel 18A. Dessförinnan är planen att sjösätta Intel 20A, 2 nanometer, där tanken är att introducera två nya stora tekniker – RibbonFET och PowerVia, kända på annat håll som GAAFET och Backside Power Delivery (BSPD). Processnoden Intel 18A är en vidareutveckling, som ska erbjuda 10 procent bättre energieffektivitet och något högre transistortäthet.
