Tyska Infineon har presenterat branschens första kretsar framställda på 300 millimeter stora skivor av kiselkarbid (SiC). Nyheten följer kort inpå att bolaget börjat bygga ut sin anläggning i österrikiska Villach för att producera annan kraftelektronik på 300 millimeter stora skivor – nämligen med galliumnitrid (GaN).
Enligt bolagets pressmeddelande ska denna första runda kiselkarbidkretsar på 300-millimetersskivor ses som en förstudie och ett proof of concept. Detta till trots talar Infineon om en väg mot en framtid där det större formatet fasas in ”i nära samarbete med kunder och partner”, medan SiC-kretsar på 200 millimeter fortsätter existera i bolagets produktutbud.
Leadership in power semiconductors means continuously pushing technology to the next level. With silicon, gallium nitride and now silicon carbide 300-millimeter wafers, we are in a leading position to scale semiconductor manufacturing and drive profitable growth.
– Jochen Hanebeck, VD för Infineon
Föga förvånande ser VD Jochen Hanebeck 300-millimetersformatet som en väg att skala upp produktionen av även kiselkarbid på ett lönsamt sätt. Detta är samma teknikskifte som inleddes för vanligt kisel redan år 2001 – redan då var Infineon en tidig pionjär som tillkännagav volymproduktion på 300 millimeter så tidigt som den 12 december 2001. Övergången från 200 till 300 millimeter sänkte enligt dåtida estimat från Intel kostnaden per tillverkad krets med 30 procent.
Kiselkarbid lyder däremot under andra spelregler än traditionella kiselskivor. SiC-substrat är i större utsträckning begränsade av produktionskostnad och kristallkvalitet, vilket i sin tur påverkar defektdensiteten och yield i färdiga kretsar. Produktion av SiC-kretsar kräver dessutom ett arbetsflöde som skiljer sig från traditionellt kisel – bland annat krävs möjlighet att behandla kiselkarbidskivorna under höga temperaturer oförenliga med vanlig halvledarproduktion.
| 150 mm | 200 mm | |
| 2024 | 83,1 % | 13,8 % |
| 2025 | 73,2 % | 25 % |
| 2026 (estimat) | 64,4 % | 34,5 % |
Majoriteten, 73 procent, av de kiselkarbidkretsar som tillverkades år 2025 framställdes på skivor om 150 millimeter, medan 200 millimeter stora skivor stod för 25 procent av total försäljning enligt data från den kinesiska substrattillverkaren Epiworld med hänvisning till data från Omdia, CIC och Yole. Det större formatet väntas nå en marknadsandel om drygt 34 procent när 2026 summeras och läggs till handlingarna.
Infineon och Wolfspeed: ett tätnande samarbete
Infineon inledde så sent som under 2025 produktion på 200 millimeter stora kiselkarbidskivor, och har fortsatt produktion även på 150 millimeter. Produktion av kretsar på kiselkarbidskivor om 300 millimeter ligger sannolikt långt fram i tiden, men de första framställda kretsarna kan istället ses mot bakgrund av att Infineon på senare tid närmat sig substrattillverkaren Wolfspeed.
Under oktober månad utannonserade Infineon att bolaget tecknat ett flerårigt avtal med just Wolfspeed om kiselkarbidskivor om 200 millimeter. Detta i sin tur följer ett pressmeddelande signerat Wolfspeed från januari 2026 där bolaget presenterade sin första kiselkarbidskiva i storleksklassen 300 millimeter – sannolikt samma skivor Infineon nu producerat sina första kretsar på.
Infineon är sedan tidigare en storspelare inom kraftelektronik, med marknadsandelar om cirka 16 procent inom kraftelektronik på både galliumnitrid och kiselkarbid år 2025 räknat i omsättning. Det gör bolaget till näst störst inom galliumnitrid och tredje störst inom kiselkarbid – där Infineon spått en 30-procentig årlig tillväxt (CAGR) fram till år 2030.
